ZHCSN23 April   2020  – December 2020 DRV8955

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
      1. 6.5.1 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 配置选项和电桥控制
      2. 7.3.2 电流调节
      3. 7.3.3 电荷泵
      4. 7.3.4 线性稳压器
      5. 7.3.5 逻辑和四电平引脚图
        1. 7.3.5.1 nFAULT 引脚
      6. 7.3.6 保护电路
        1. 7.3.6.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.6.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.6.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.6.4 热关断 (OTSD)
        5.       故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 工作模式 (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 nSLEEP 复位脉冲
      4.      功能模式汇总
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电流调节
        2. 8.2.2.2 功率损耗和热量计算
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 确定大容量电容的大小
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.2 电流调节

在将输出负载连接至 VM 电源后，并且 MODE 引脚为 0、1 或高阻态时，可将负载电流调节至 ITRIP 电平。表 7-2 说明了 VREF 引脚在各种运行模式下如何控制输出电流。

MODE = 0 时，您可以使用以下公式计算 ITRIP 电流 (ITRIP)：ITRIP (A) = VREF (V)/1.32 (V/A)。

MODE = 1 时，ITRIP (A) = VREF (V)/0.66 (V/A)。

MODE = 高阻态时，ITRIP (A) = VREF (V)/0.33 (V/A)。

通过在 DVDD 引脚和接地之间连接电阻分压器，可以对 VREF 电压进行编程。两个 VREF 引脚可以连接在一起，从而为所有输出通道编程相同的 ITRIP 电流。

当 INx = 0 时，低侧 FET 将开启，直至电流增长并达到 ITRIP 电平。一旦负载电流等于 ITRIP，低侧 FET 将关闭，高侧 FET 则将在关断时间（由 TOFF 引脚决定）内保持开启状态。关断时间结束后，将重新开启低侧 FET 并重复该循环。

对于连接至 VM 的电阻负载，如果 ITRIP 高于 (VM/RLOAD)，则在 INx = 0 时会将负载电流调节至 VM/RLOAD 电平。对于连接至 VM 的电感负载，应确保在每个周期对电流进行足够的衰减，以防止失控并触发过流保护。下面介绍了不同的使用情况：

GUID-44C45C07-4703-4E0D-8BF1-B99CE56A3C9F-low.gif图 7-3 电阻负载连接至 VM，逐周期控制，ITRIP 高于 VM/RLOAD。

GUID-BB81C6FB-C6DD-49A2-97CE-9BF479FABC24-low.gif图 7-4 电感负载连接至 VM，固定关断时间电流斩波
在这种情况下，当 INx = 0 时，高侧 MOSFET 会在 IOUT 超过 ITRIP 后在 tOFF 内保持开启状态。tOFF 后，低侧 MOSFET 将重新开启，直至 IOUT 再次超过 ITRIP。固定关断时间模式允许在外部控制器不介入的情况下使用简单的电流斩波方案。固定关断时间模式将支持 100% 占空比的电流调节。

控制负载电流的另外一种方式是逐周期控制模式，该模式下会控制 INx 输入引脚的 PWM 脉冲宽度。这样即可通过外部控制器来额外控制电流斩波方案。对于连接至 VM 的负载，当 INx = 0 时，流经该负载的电流将增加；当 INx = 1 时，流经该负载的电流将衰减。通过适当选择 INx 脉冲的占空比，可以将电流调节到目标值。下面介绍了各种此类使用情况：

GUID-DBE0A1C9-002D-481F-9FED-C7B8BD8E80D7-low.gif图 7-5 电感负载连接至 VM，逐周期控制
在这种情况下，需要对 INx 引脚的占空比进行调节，以确保电流不会失控。
GUID-20A05478-F0EE-42B2-BB63-689FFE637CA6-low.gif图 7-6 电感负载连接至 VM，逐周期控制，T 必须短于 DRV8955 的 TOFF。

同样，也可以通过控制 INx 引脚的脉冲宽度来控制流经接地负载的电流：INx = 1 时电流增加，INx = 0 时电流衰减。下面介绍了这两种使用情况：

GUID-657F89DD-DBE9-4C84-843D-D0A6C7949EF0-low.gif图 7-7 电感负载接地，逐周期控制
在这种情况下，需要对 INx 引脚的占空比进行调节，以确保电流不会失控。
GUID-5ACB60E4-D62F-4C81-9897-2D2826FD78FB-low.gif图 7-8 电阻负载接地，逐周期控制

表 7-6 关断时间设置
TOFF关断时间 tOFF
07µs
116µs
高阻态24µs
330kΩ 至 GND32µs