ZHCSN23 April 2020 – December 2020 DRV8955
PRODUCTION DATA
参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
电源电压(VM、DVDD) | ||||||
IVM | VM 工作电源电流 | nSLEEP = 1,无负载 | 5 | 6.5 | mA | |
IVMQ | VM 睡眠模式电源电流 | nSLEEP = 0 | 2 | 4 | μA | |
tSLEEP | 休眠时间 | nSLEEP = 0 至睡眠模式 | 120 | μs | ||
tRESET | nSLEEP 复位脉冲 | nSLEEP 低电平至清除故障 | 20 | 40 | μs | |
tWAKE | 唤醒时间 | nSLEEP = 1 至输出转换 | 0.8 | 1.2 | ms | |
tON | 开通时间 | VM > UVLO 至输出转换 | 0.8 | 1.2 | ms | |
VDVDD | 内部稳压器电压 | 无外部负载,6V < VVM < 48V | 4.75 | 5 | 5.25 | V |
无外部负载,VVM = 4.5V |
4.2 |
4.35 |
V | |||
电荷泵(VCP、CPH、CPL) | ||||||
VVCP | VCP 工作电压 | 6V < VVM < 48V | VVM + 5 | V | ||
f(VCP) | 电荷泵开关频率 | VVM > UVLO;nSLEEP = 1 | 360 | kHz | ||
逻辑电平输入(IN1、IN2、IN3、IN4、EN1、EN2、EN3、EN4、nSLEEP) | ||||||
VIL | 输入逻辑低电平电压 | 0 | 0.6 | V | ||
VIH | 输入逻辑高电平电压 | 1.5 | 5.5 | V | ||
VHYS | 输入逻辑迟滞 | 150 | mV | |||
IIL | 输入逻辑低电平电流 | VIN = 0V | -1 | 1 | μA | |
IIH | 输入逻辑高电平电流 | VIN = 5V | 100 | μA | ||
t1 |
ENx 高电平到 OUTx 高电平延迟 |
INx = 1 |
5 |
μs | ||
t2 | ENx 低电平到 OUTx 低电平延迟 | INx = 1 |
5 |
μs | ||
t3 | ENx 高电平到 OUTx 低电平延迟 | INx = 0 |
5 |
μs | ||
t4 | ENx 低电平到 OUTx 高电平延迟 | INx = 0 |
5 |
μs | ||
t5 | INx 高电平到 OUTx 高电平延迟 |
800 |
ns | |||
t6 | INx 低电平到 OUTx 低电平延迟 |
800 |
ns | |||
四电平输入(MODE、TOFF) | ||||||
VI1 | 输入逻辑低电平电压 | 连接至 GND | 0 | 0.6 | V | |
VI2 | 330kΩ ± 5% 至 GND | 1 | 1.25 | 1.4 | V | |
VI3 | 输入高阻抗电压 | 高阻抗(>500kΩ 至 GND) | 1.8 | 2 | 2.2 | V |
VI4 | 输入逻辑高电平电压 | 连接至 DVDD | 2.7 | 5.5 | V | |
IO | 输出上拉电流 | 10 | μA | |||
控制输出 (nFAULT) | ||||||
VOL | 输出逻辑低电平电压 | IO = 5mA | 0.5 | V | ||
IOH | 输出逻辑高电平泄漏电流 | -1 | 1 | μA | ||
电机驱动器输出(OUT1、OUT2、OUT3、OUT4) | ||||||
RDS(ONH) | 高侧 FET 导通电阻(MODE = 0 或 330k 至 GND) | TJ = 25°C、IO = -1A | 165 | 200 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = -1A | 250 | 300 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = -1A | 280 | 350 | mΩ | |||
RDS(ONL) | 低侧 FET 导通电阻(MODE = 0 或 330k 至 GND) | TJ = 25°C、IO = 1A | 165 | 200 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = 1A | 250 | 300 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = 1A | 280 | 350 | mΩ | |||
RDS(ONH) | 高侧 FET 导通电阻 (MODE = 1) | TJ = 25°C,IO = -1A | 80 | 100 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = -1A | 125 | 150 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = -1A | 140 | 175 | mΩ | |||
RDS(ONL) | 低侧 FET 导通电阻 (MODE = 1) | TJ = 25°C,IO = 1A | 80 | 100 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = 1A | 125 | 150 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = 1A | 140 | 175 | mΩ | |||
RDS(ONH) | 高侧 FET 导通电阻(MODE = 高阻态) | TJ = 25°C,IO = -1A | 40 | 50 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = -1A | 60 | 75 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = -1A | 70 | 90 | mΩ | |||
RDS(ONL) | 低侧 FET 导通电阻(MODE = 高阻态) | TJ = 25°C,IO = 1A | 40 | 50 | mΩ | |
TJ = 125°C、IO = 1A | 60 | 75 | mΩ | |||
TJ = 150°C、IO = 1A | 70 | 90 | mΩ | |||
tRF |
输出上升/下降时间 |
VM = 24V |
100 |
ns | ||
电流调节 (VREF) | ||||||
KV | 跨阻增益 |
VREF = 3.3V,MODE = 0 或 330k 至 GND | 1.254 | 1.32 | 1.386 | V/A |
VREF = 3.3V,MODE = 1 | 0.627 | 0.66 | 0.693 | V/A | ||
VREF = 3.3V,MODE =高阻态 | 0.313 | 0.33 | 0.347 | V/A | ||
IVREF |
VREF 泄漏电流 | VREF = 3.3V |
8.25 | μA | ||
tOFF | PWM 关断时间 | TOFF = 0 | 7 | μs | ||
TOFF = 1 | 16 | |||||
TOFF = 高阻态 | 24 | |||||
TOFF = 330kΩ 至 GND | 32 | |||||
ΔITRIP | 电流跳变精度 | ITRIP 设置的 10% 至 20% |
-12 |
12 |
% | |
ITRIP 设置的 20% 至 40% |
-6 |
6 | ||||
ITRIP 设置的 40% 至 100% |
-4 |
4 | ||||
保护电路 | ||||||
VUVLO | VM UVLO 锁定 | VM 下降,UVLO 下降 | 4.1 | 4.25 | 4.35 | V |
VM 上升,UVLO 上升 | 4.2 | 4.35 | 4.45 | |||
VUVLO,HYS | 欠压迟滞 | 上升至下降阈值 | 100 | mV | ||
VCPUV | 电荷泵欠压 | VCP 下降 | VVM + 2 | V | ||
IOCP | 过流保护 | 流经任何 FET 的电流 (MODE = 0 或 330k 至 GND) | 4 | A | ||
流经任何 FET 的电流 (MODE = 1) | 8 | A | ||||
流经任何 FET 的电流(MODE = 高阻态) | 16 | A | ||||
tOCP | 过流抗尖峰时间 | 2 | μs | |||
TOTSD | 热关断 | 内核温度 TJ | 150 | 165 | 180 | °C |
THYS_OTSD | 热关断迟滞 | 内核温度 TJ | 20 | °C |