ZHCSN22 April   2020 DRV8434S

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 分度器时序要求
      1. 6.7.1 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能模块图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  步进电机驱动器电流额定值
        1. 7.3.1.1 峰值电流额定值
        2. 7.3.1.2 均方根电流额定值
        3. 7.3.1.3 满量程电流额定值
      2. 7.3.2  PWM 电机驱动器
      3. 7.3.3  微步进分度器
      4. 7.3.4  通过 MCU DAC 控制 VREF
      5. 7.3.5  电流调节
      6. 7.3.6  衰减模式
        1. 7.3.6.1 上升和下降电流阶段均为慢速衰减
        2. 7.3.6.2 上升电流阶段为慢速衰减，下降电流阶段混合衰减
        3. 7.3.6.3 用于上升电流的慢速衰减，用于下降电流的快速衰减
        4. 7.3.6.4 上升和下降电流阶段均为混合衰减
        5. 7.3.6.5 智能调优动态衰减
        6. 7.3.6.6 智能调优纹波控制
      7. 7.3.7  PWM 关断时间
      8. 7.3.8  消隐时间
      9. 7.3.9  电荷泵
      10. 7.3.10 线性稳压器
      11. 7.3.11 逻辑电平、三电平和四电平引脚图
        1. 7.3.11.1 nFAULT 引脚
      12. 7.3.12 保护电路
        1. 7.3.12.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.12.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.12.3 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.12.3.1 锁存关断 (OCP_MODE = 0b)
          2. 7.3.12.3.2 自动重试 (OCP_MODE = 1b)
        4. 7.3.12.4 失速检测
        5. 7.3.12.5 开路负载检测 (OL)
        6. 7.3.12.6 过热警告 (OTW)
        7. 7.3.12.7 热关断 (OTSD)
          1. 7.3.12.7.1 锁存关断 (OTSD_MODE = 0b)
          2. 7.3.12.7.2 自动恢复 (OTSD_MODE = 1b)
        8.       故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2.      56
      3. 7.4.2 禁用模式（nSLEEP = 1，ENABLE = 0）
      4. 7.4.3 工作模式（nSLEEP = 1，ENABLE = 1）
      5. 7.4.4 nSLEEP 复位脉冲
      6.      功能模式汇总
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI) 通信
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
        2. 7.5.1.2 用于单个目标器件的 SPI
        3. 7.5.1.3 用于菊花链配置的多个目标器件的 SPI
        4. 7.5.1.4 用于并行配置的多个目标器件的 SPI
    6. 7.6 寄存器映射
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 步进电机转速
        2. 8.2.2.2 电流调节
        3. 8.2.2.3 衰减模式
        4. 8.2.2.4 应用曲线
        5. 8.2.2.5 热应用
          1. 8.2.2.5.1 功率损耗
          2. 8.2.2.5.2 导通损耗
          3. 8.2.2.5.3 开关损耗
          4. 8.2.2.5.4 由于静态电流造成的功率损耗
          5. 8.2.2.5.5 总功率损耗
          6. 8.2.2.5.6 器件结温估算
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源电压（VM、DVDD）
IVMVM 工作电源电流ENABLE = 1，nSLEEP = 1，无电机负载56.5mA
IVMQVM 睡眠模式电源电流nSLEEP = 024μA
tSLEEP休眠时间nSLEEP = 0 至睡眠模式

120

μs
tRESETnSLEEP 复位脉冲nSLEEP 低电平至清除故障

20

40

μs
tWAKE唤醒时间nSLEEP = 1 至输出转换0.81.2ms
tON开通时间VM > UVLO 至输出转换0.81.2ms

tEN

启用时间

ENABLE = 0/1 至输出转换

5

μs
VDVDD内部稳压器电压无外部负载，

6V < VVM < 48V

4.7555.25V
无外部负载，

VVM = 4.5V

4.2

4.35

V

电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VVCPVCP 工作电压6V < VVM < 48VVVM + 5V
f(VCP)电荷泵开关频率VVM > UVLO；nSLEEP = 1360kHz
逻辑电平输入（STEP、DIR、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI、ENABLE）
VIL输入逻辑低电平电压00.6V
VIH输入逻辑高电平电压1.55.5V
VHYS输入逻辑迟滞150mV
IIL1输入逻辑低电平电流 (nSCS)VIN = 0V812μA
IIL输入逻辑低电平电流（其他引脚）VIN = 0V-11μA
IIH1输入逻辑高电平电流 (nSCS)VIN = DVDD500nA
IIH输入逻辑高电平电流（其他引脚）VIN = 5V100μA
推挽式输出 (SDO)
RPD，SDO内部下拉电阻5mA 负载，以 GND 为基准30

60

Ω
RPU，SDO内部上拉电阻5mA 负载，以 VSDO 为基准3060Ω
ISDOSDO 泄漏电流SDO = VSDO 和 0V-11μA
控制输出 (nFAULT)
VOL输出逻辑低电平电压IO = 5mA0.5V
IOH输出逻辑高电平泄漏电流-11μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RDS(ON)高侧 FET 导通电阻TJ = 25°C、IO = -1A165200mΩ
TJ = 125°C、IO = -1A250300mΩ
TJ = 150°C、IO = -1A280350mΩ
RDS(ON)低侧 FET 导通电阻TJ = 25°C、IO = 1A165200mΩ
TJ = 125°C、IO = 1A250300mΩ
TJ = 150°C、IO = 1A280350mΩ
tSR输出压摆率VVM = 24V、IO = 1A，在 10% 至 90% 之间240V/µs
PWM 电流控制 (VREF)
KV跨阻增益VREF = 3.3V1.2541.321.386V/A

IVREF

VREF 泄漏电流

VREF = 3.3V

8.25

µA
tOFFPWM 关断时间TOFF = 00b7μs
TOFF = 01b16
TOFF = 10b24
TOFF = 11b32
ΔITRIP电流跳变精度0.25A < IO < 0.5A–1212%
0.5A < IO < 1A-6

6

1A < IO < 2.5A-4

4

IO,CHAOUT 和 BOUT 电流匹配IO = 2.5A-2.52.5%
保护电路
VUVLOVM UVLO 锁定VM 下降，UVLO 下降4.14.254.35V
VM 上升，UVLO 上升4.24.354.45
VUVLO,HYS欠压迟滞上升至下降阈值100mV
VRSTVM UVLO 复位VM 下降，器件复位，SPI 通信3.9V
VCPUV电荷泵欠压VCP 下降；CPUV 报告VVM + 2V
IOCP过流保护流经任何 FET 的电流4A
tOCP过流抗尖峰时间2μs
tRETRY过流重试时间OCP_MODE = 1b4ms
tOL开路负载检测时间EN_OL = 1b50ms
IOL开路负载电流阈值EN_OL = 1b75mA
TOTW过热警告内核温度 TJ135150165°C
TOTSD热关断内核温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD热关断迟滞内核温度 TJ20°C
THYS_OTW过热警告迟滞内核温度 TJ20°C