ZHCSN22 April   2020 DRV8434S

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 分度器时序要求
      1. 6.7.1 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能模块图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  步进电机驱动器电流额定值
        1. 7.3.1.1 峰值电流额定值
        2. 7.3.1.2 均方根电流额定值
        3. 7.3.1.3 满量程电流额定值
      2. 7.3.2  PWM 电机驱动器
      3. 7.3.3  微步进分度器
      4. 7.3.4  通过 MCU DAC 控制 VREF
      5. 7.3.5  电流调节
      6. 7.3.6  衰减模式
        1. 7.3.6.1 上升和下降电流阶段均为慢速衰减
        2. 7.3.6.2 上升电流阶段为慢速衰减，下降电流阶段混合衰减
        3. 7.3.6.3 用于上升电流的慢速衰减，用于下降电流的快速衰减
        4. 7.3.6.4 上升和下降电流阶段均为混合衰减
        5. 7.3.6.5 智能调优动态衰减
        6. 7.3.6.6 智能调优纹波控制
      7. 7.3.7  PWM 关断时间
      8. 7.3.8  消隐时间
      9. 7.3.9  电荷泵
      10. 7.3.10 线性稳压器
      11. 7.3.11 逻辑电平、三电平和四电平引脚图
        1. 7.3.11.1 nFAULT 引脚
      12. 7.3.12 保护电路
        1. 7.3.12.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.12.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.12.3 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.12.3.1 锁存关断 (OCP_MODE = 0b)
          2. 7.3.12.3.2 自动重试 (OCP_MODE = 1b)
        4. 7.3.12.4 失速检测
        5. 7.3.12.5 开路负载检测 (OL)
        6. 7.3.12.6 过热警告 (OTW)
        7. 7.3.12.7 热关断 (OTSD)
          1. 7.3.12.7.1 锁存关断 (OTSD_MODE = 0b)
          2. 7.3.12.7.2 自动恢复 (OTSD_MODE = 1b)
        8.       故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2.      56
      3. 7.4.2 禁用模式（nSLEEP = 1，ENABLE = 0）
      4. 7.4.3 工作模式（nSLEEP = 1，ENABLE = 1）
      5. 7.4.4 nSLEEP 复位脉冲
      6.      功能模式汇总
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 串行外设接口 (SPI) 通信
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
        2. 7.5.1.2 用于单个目标器件的 SPI
        3. 7.5.1.3 用于菊花链配置的多个目标器件的 SPI
        4. 7.5.1.4 用于并行配置的多个目标器件的 SPI
    6. 7.6 寄存器映射
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 步进电机转速
        2. 8.2.2.2 电流调节
        3. 8.2.2.3 衰减模式
        4. 8.2.2.4 应用曲线
        5. 8.2.2.5 热应用
          1. 8.2.2.5.1 功率损耗
          2. 8.2.2.5.2 导通损耗
          3. 8.2.2.5.3 开关损耗
          4. 8.2.2.5.4 由于静态电流造成的功率损耗
          5. 8.2.2.5.5 总功率损耗
          6. 8.2.2.5.6 器件结温估算
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
      1. 10.1.1 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 接收文档更新通知
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 静电放电警告
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.1 布局指南

应使用一个推荐电容为 0.01µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 PGND。该电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的引线或通过接地平面与器件 PGND 引脚连接。

必须使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路至接地。该组件可以是电解电容。

必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容。建议使用一个电容值为 0.022µF、额定电压为 VM 的电容。将此组件尽可能靠近引脚放置。

必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容。建议使用一个电容值为 0.22µF、额定电压为 16V 的电容。将此组件尽可能靠近引脚放置。

使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容为 0.47µF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。