ZHCSZ35A October   2025  – December 2025 DRV81545

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 集成钳位二极管 VCLAMP
      2. 6.3.2 保护电路
        1. 6.3.2.1 ILIM 模拟电流限制
          1. 6.3.2.1.1 负载电阻对 TSD 之前功率耗散的影响
        2. 6.3.2.2 截止延迟 (COD)
        3. 6.3.2.3 热关断 (TSD)
        4. 6.3.2.4 欠压锁定 (UVLO)
      3. 6.3.3 故障条件汇总
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 硬件接口运行
      2. 6.4.2 并行输出
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 外部组件
      2. 7.2.2 持续电流能力
      3. 7.2.3 功率耗散
      4. 7.2.4 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 大容量电容
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.2.3 功率耗散

DRV81545 器件中的功率耗散主要由输出 FET 电阻或 RDS(on) 中耗散的功率决定。每个 FET 在运行静态负载时的平均功耗可以通过 方程式 14 大致估算：

方程式 14. P = R D S O N × I O U T 2

其中

  • P 是一个 FET 的耗散功率
  • RDS(ON) 是每个 FET 的导通电阻
  • IOUT 等于负载的平均电流消耗。

在启动和故障情况下，此电流远大于正常运行电流；请将这些峰值电流及其持续时间考虑在内。当同时驱动多个负载时，必须将所有有源输出级的功率相加。

器件中可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。

请注意，RDS(on) 随温度升高而增加，因此随着器件发热，功率耗散也会增大。在确定散热器尺寸时，请考虑这一操作。