ZHCSY52A September   2024  – March 2025 DRV81242-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 控制引脚
        1. 7.3.1.1 输入引脚
        2. 7.3.1.2 nSLEEP 引脚
      2. 7.3.2 电源
        1. 7.3.2.1 运行模式
          1. 7.3.2.1.1 上电
          2. 7.3.2.1.2 睡眠模式
          3. 7.3.2.1.3 空闲模式
          4. 7.3.2.1.4 工作模式
          5. 7.3.2.1.5 跛行回家模式
        2. 7.3.2.2 复位条件
      3. 7.3.3 功率级
        1. 7.3.3.1 开关电阻性负载
        2. 7.3.3.2 电感式输出钳位
        3. 7.3.3.3 最大负载电感
        4. 7.3.3.4 反向电流行为
        5. 7.3.3.5 并联开关通道
        6. 7.3.3.6 灯泡浪涌模式 (BIM)
        7. 7.3.3.7 集成 PWM 发生器
      4. 7.3.4 保护和诊断
        1. 7.3.4.1 VM 欠压
        2. 7.3.4.2 过流保护
        3. 7.3.4.3 过热保护
        4. 7.3.4.4 过热警告
        5. 7.3.4.5 跛行回家模式下的过热和过流保护
        6. 7.3.4.6 反极性保护
        7. 7.3.4.7 过压保护
        8. 7.3.4.8 输出状态监控
        9. 7.3.4.9 开启状态下提供开路负载检测
          1. 7.3.4.9.1 开启时的开路负载 - 直接通道诊断
          2. 7.3.4.9.2 开启时的开路负载 - 诊断回路
          3. 7.3.4.9.3 OLON 位
      5. 7.3.5 SPI 通信
        1. 7.3.5.1 SPI 信号说明
          1. 7.3.5.1.1 片选 (nSCS)
            1. 7.3.5.1.1.1 逻辑高电平到逻辑低电平转换
            2. 7.3.5.1.1.2 逻辑低电平到逻辑高电平转换
          2. 7.3.5.1.2 串行时钟 (SCLK)
          3. 7.3.5.1.3 串行数据输入 (SDI)
          4. 7.3.5.1.4 串行数据输出 (SDO)
        2. 7.3.5.2 菊花链功能
        3. 7.3.5.3 SPI 协议
        4. 7.3.5.4 SPI 寄存器
          1. 7.3.5.4.1  标准诊断寄存器
          2. 7.3.5.4.2  输出控制寄存器
          3. 7.3.5.4.3  灯泡浪涌模式寄存器
          4. 7.3.5.4.4  输入 0 映射寄存器
          5. 7.3.5.4.5  输入 1 映射寄存器
          6. 7.3.5.4.6  输入状态监控寄存器
          7. 7.3.5.4.7  开路负载电流控制寄存器
          8. 7.3.5.4.8  输出状态监控寄存器
          9. 7.3.5.4.9  开启时开路负载寄存器
          10. 7.3.5.4.10 EN_OLON 寄存器
          11. 7.3.5.4.11 配置寄存器
          12. 7.3.5.4.12 输出清除锁存寄存器
          13. 7.3.5.4.13 FPWM 寄存器
          14. 7.3.5.4.14 PWM0 配置寄存器
          15. 7.3.5.4.15 PWM1 配置寄存器
          16. 7.3.5.4.16 PWM_OUT 寄存器
          17. 7.3.5.4.17 MAP_PWM 寄存器
          18. 7.3.5.4.18 配置 2 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 建议的外部元件
      2. 8.1.2 应用曲线图
    2. 8.2 典型应用
    3. 8.3 布局
      1. 8.3.1 布局指南
      2. 8.3.2 封装尺寸兼容性
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.4.6 反极性保护

在反极性（也称为电池反向）情况下，功率耗散由每个 FET 的体二极管引起（对于低侧通道以及用作低侧开关的自动可配置通道），而高侧通道以及用作高侧开关的自动可配置通道会开启，以降低功率损耗。逻辑引脚和电源引脚的每个 ESD 二极管都会导致总功率耗散。必须通过连接的负载来限制流经通道的反向电流。还必须限制流经数字电源 VDD 和输入引脚的电流（请参阅节 6.1）。

注：

在反极性期间，没有温度保护或电流限制等保护机制处于活动状态。