ZHCSY09 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHCSY09 August 2025 DLP472NP

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

FQY|174
- MCLG050

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhcsy09_oa

5.4 建议运行条件

在自然通风条件下的工作温度范围内和电源电压下测得（除非另有说明）。在“建议运行条件”定义的限值内运行器件时，可实现本数据表中指定的器件的功能性能。在高于或低于“建议运行条件”限值的条件下运行器件时，无法保证其性能。

		最小值	典型值	最大值	单位
电源电压范围
VDD	LVCMOS 内核逻辑的电源电压⁽¹⁾⁽²⁾ LPSDR 低速接口的电源电压⁽¹⁾⁽²⁾	1.71	1.8	1.95	V
VDDI	SubLVDS 接收器的电源电压⁽¹⁾⁽²⁾	1.71	1.8	1.95	V
VOFFSET	HVCMOS 和微镜电极的电源电压⁽¹⁾⁽²⁾⁽³⁾	9.5	10	10.5	V
VBIAS	镜电极的电源电压⁽¹⁾⁽²⁾	17.5	18	18.5	V
VRESET	微镜电极的电源电压⁽¹⁾⁽²⁾	-14.5	-14	-13.5	V
\|VDDI- VDD\|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁴⁾			0.3	V
\|VBIAS-VOFFSET\|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁵⁾			10.5	V
\|VBIAS- VRESET\|	电源电压差值（绝对值）⁽¹⁾⁽²⁾⁽⁶⁾			33	V
时钟频率
f_clock	低速接口 LS_CLK 的时钟频率⁽⁷⁾	108		120	MHz
f_clock	高速接口 DCLK 的时钟频率⁽⁸⁾			720	MHz
DCD_IN	占空比失真	48		52	%
SUBLVDS 接口
\|V_ID\|	LVDS 差分输入电压幅度⁽⁸⁾	150	250	350	mV
V_CM	共模电压⁽⁸⁾	700	900	1100	mV
V_SUBLVDS	SubLVDS 电压⁽⁸⁾	525		1275	mV
Z_LINE	线路差分阻抗（PWB/引线）	90	100	110	Ω
Z_IN	内部差分端接电阻 ⁽¹⁰⁾	80	100	120	Ω
	100Ω 差分 PCB 布线	6.35		152.4	mm
环境
T_ARRAY	长期工作时的阵列温度⁽⁹⁾⁽¹⁰⁾⁽¹¹⁾⁽¹²⁾	10		40 至 70	°C
T_ARRAY	短期工作（最长 500 个小时）时的阵列温度⁽¹⁰⁾⁽¹³⁾	0		10	°C
T_Window	工作时的窗口温度⁽¹⁴⁾			85	°C
\|T_DELTA\|	窗口边沿上的任意点与陶瓷测试点 TP1 之间的绝对温度差值⁽¹⁵⁾			15	°C
T_DP-AVG	平均露点温度（非冷凝）⁽¹⁶⁾			24	°C
T_DP-ELR	高露点温度范围（非冷凝）⁽¹⁷⁾		28	36	°C
CT_ELR	高露点温度范围内的累积时间			6	月
照明
ILL_UV	照明，波长 < 410nm⁽⁹⁾			10	mW/cm²
ILL_VIS	波长 ≥ 410nm 且 ≤ 800nm 时的照明功率⁽¹⁸⁾			20.5	W/cm²
ILL_IR	照明，波长 > 800nm			10	mW/cm²
ILL_BLU	波长 ≥ 410nm 且 ≤ 475nm 时的照明功率⁽¹⁸⁾			6.5	W/cm²
ILL_BLU1	波长 ≥ 410nm 且 ≤ 445nm 时的照明功率⁽¹⁸⁾			1.2	W/cm²
ILL_θ	照明边缘光线角度⁽¹⁹⁾			55	度

(1) 运行 DMD 需要以下所有电源：V_DD、V_DDI、V_OFFSET、V_BIAS 和 V_RESET。运行 DMD 需要所有 V_SS 连接。

(2) 所有电压值均以 V_SS 接地引脚为基准。

(3) V_OFFSET 电源电压瞬态必须处于指定的最大电压范围内。

(4) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_DDI – V_DD| 必须小于指定的限值。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_BIAS – V_OFFSET| 必须小于指定的限值。

(6) 为了防止电流过大，电源电压差值 |V_BIAS – V_RESET| 必须小于指定的限值。

(7) LS_CLK 必须按指定方式运行，以确保复位波形命令的内部 DMD 时序。

(8) 请参阅节 5.8中的 SubLVDS 时序。

(9) 如果 DMD 同时暴露于温度和 UV 照明的最大建议运行条件下，则将缩短器件寿命。

(10) 阵列温度无法直接测量，必须通过在图 6-1 所示测试点 (TP1) 测量的温度以及封装热阻（使用节 6.6）进行分析计算。

(11) 根据最大建议阵列温度 - 降额曲线，最大工作阵列温度应根据 DMD 在终端应用中经历的微镜着陆占空比进行降额。有关微镜着陆占空比的定义，请参阅镜着陆开/着陆关占空比。

(12) 长期定义为器件的使用寿命。

(13) 短期是器件使用寿命期间的总累积时间。

(14) 窗口温度是窗口边沿上的最高温度。图 6-1 中热测试点 TP2、TP3、TP4 和 TP5 的位置旨在测量最高窗口边沿温度。如果特定应用导致窗口边沿上的另一个点处于较高的温度，则应使用该点。

(15) 温度差值是陶瓷测试点 1 (TP1) 和窗口边沿上任意位置（如图 6-1 所示）之间的最大差值。图 6-1 中显示的窗口测试点 TP2、TP3、TP4 和 TP5 旨在产生最坏情况下的温度差值。如果特定应用导致窗口边沿上的另一个点产生更大的温度差值，则应使用该点。

(16) 器件不在“高露点温度范围”内的随时间变化的平均值（包括存储和运行）。

(17) 在存储和运行期间，暴露于高范围内的露点温度应限制在 CT_ELR 的总累积时间以内。

(18) 入射到 DMD 上的最大允许光功率受到每个指定波长范围的最大光功率密度以及微镜阵列温度 (T_ARRAY) 的限制。

(19) 入射照明光在微镜阵列（包括微镜池 (POM)）中任何点处的最大边缘光线角度不应超过从法线到器件阵列平面的 55 度。器件窗口孔隙的设计不一定允许最大角度更高的入射光传递到微镜，而且器件在超过该角度时的性能尚未经过测试或鉴定。在微镜阵列（包括 POM）外部超过此角度的照明光将导致本文档中所述的热限制，并可能对使用寿命产生负面影响。