ZHCSY09 August   2025 DLP472NP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 引脚功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  存储条件
    3. 5.3  ESD 等级
    4. 5.4  建议运行条件
    5.     12
    6. 5.5  热性能信息
    7. 5.6  电气特性
    8. 5.7  开关特性
    9. 5.8  时序要求
    10.     17
    11. 5.9  系统安装接口负载
    12.     19
    13. 5.10 微镜阵列物理特性
    14. 5.11 微镜阵列光学特性
    15.     22
    16. 5.12 窗口特性
    17. 5.13 芯片组元件使用规格
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电源接口
      2. 6.3.2 LPSDR 低速接口
      3. 6.3.3 高速接口
      4. 6.3.4 时序
    4. 6.4 器件功能模式
    5. 6.5 光学接口和系统图像质量注意事项
      1. 6.5.1 数字光圈和杂散光控制
      2. 6.5.2 光瞳匹配
      3. 6.5.3 照明溢出
    6. 6.6 微镜阵列温度计算
    7. 6.7 微镜功率密度计算
    8. 6.8 微镜着陆打开/着陆关闭占空比
      1. 6.8.1 微镜着陆开/着陆关占空比的定义
      2. 6.8.2 DMD 的着陆占空比和使用寿命
      3. 6.8.3 着陆占空比和运行 DMD 温度
      4. 6.8.4 估算产品或应用的长期平均着陆占空比
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 温度传感器二极管
  9. 8 电源相关建议
    1. 8.1 DMD 电源上电过程
    2. 8.2 DMD 电源断电过程
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 器件支持
      1. 10.2.1 器件命名规则
      2. 10.2.2 器件标识
    3. 10.3 文档支持
      1. 10.3.1 相关文档
    4. 10.4 接收文档更新通知
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.6 微镜阵列温度计算

DLP472NP DMD 热测试点图 6-1 DMD 热测试点

微镜阵列温度无法直接测量，因此必须根据封装外部的测量点、封装热阻、电功率和照明热负荷进行分析计算。以下公式提供了阵列温度与基准陶瓷温度（图 6-1 中的热测试 TC1/TP1）之间的关系：

TARRAY = TCERAMIC + (QARRAY × RARRAY-TO-CERAMIC)
QARRAY = QELECTRICAL + QILLUMINATION

其中

  • TARRAY = Computed array temperature (°C)
  • TCERAMIC = Measured ceramic temperature (°C) (TP1 location)
  • RARRAY-TO-CERAMIC = Thermal resistance of package specified in 图 6-1 from array to ceramic TP1 (°C/Watt)
  • QARRAY = Total DMD power on the array (W) (electrical + absorbed)
  • QELECTRICAL = Nominal electrical power (W)
  • QINCIDENT = Incident illumination optical power (W)
  • QILLUMINATION = (DMD average thermal absorptivity × QINCIDENT) (W)
  • DMD average thermal absorptivity = 0.4

DMD 的电功率耗散是可变的，取决于电压、数据速率和工作频率。计算阵列温度时使用的标称电功率耗散为 1.0 瓦。从光源吸收的功率是可变的，具体取决于微镜的工作状态和光源的强度。上面显示的公式对于单芯片或多芯片 DMD 系统有效。它假设有源阵列上的照明分布为 83.7%，阵列边界上的照明分布为 16.3%。

以下是典型投影应用的示例计算：

QINCIDENT = 9.4W (measured)
TCERAMIC = 55.0°C (measured)
QELECTRICAL = 1.0W
QARRAY = 1.0W + (0.40 × 9.4W) = 4.76W
TARRAY = 55.0°C + (4.76 W × 1.2°C/W) = 60.7°C