ZHCSD83B February   2015  – May 2019 CSD87501L

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     俯视图
    2.     配置
      1.      Device Images
        1.       RS1S2(on) 与 VGS 间的关系
        2.       栅极电荷
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 封装尺寸
    2. 7.2 推荐的 PCB 布局
    3. 7.3 推荐的模板布局

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJG|10
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置，非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。

俯视图

CSD87501L Front_Page_r2.gif

配置

CSD87501L Configuration.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VS1S2 源源电压 30 V
Qg 总栅极电荷 (4.5V) 15 nC
Qgd 栅极电荷（栅极到漏极） 6.0 nC
RS1S2(on) 源源导通电阻 VGS = 4.5V 9.3 mΩ
VGS = 10V 6.6
VGS(th) 阈值电压 1.8 V

器件信息(1)

器件 介质 数量 封装 配送
CSD87501L 7 英寸卷带 3000 3.37mm × 1.47mm
基板栅格阵列
封装		 卷带

封装
CSD87501LT 7 英寸卷带 250
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VS1S2 源源电压 30 V
VGS 栅源电压 ±20 V
IS 持续源极电流(1) 14 A
ISM 脉冲源极电流(2) 72 A
PD 功率耗散 2.5 W
V(ESD) 人体放电模型 (HBM) 2 kV
TJ、
Tstg 		工作结温、
贮存温度		 –55 至 150 °C
  1. RθJA = 50°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
  2. RθJA = 135°C/W（覆铜面积最小时的典型值），脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。