ZHCSAY2F March   2013  – March 2015 CSD87381P

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 Recommended Operating Conditions
    3. 5.3 Power Block Performance
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Power Block Characteristics
    7. 5.7 Typical Power Block MOSFET Characteristics
  6. 6Application and Implementation
    1. 6.1 Application Information
      1. 6.1.1 Power Loss Curves
      2. 6.1.2 Safe Operating Curves (SOA)
      3. 6.1.3 Normalized Curves
      4. 6.1.4 Calculating Power Loss and SOA
        1. 6.1.4.1 Design Example
        2. 6.1.4.2 Calculating Power Loss
        3. 6.1.4.3 Calculating SOA Adjustments
  7. 7Layout
    1. 7.1 Layout Guidelines
      1. 7.1.1 Recommended PCB Design Overview
      2. 7.1.2 Electrical Performance
      3. 7.1.3 Thermal Performance
    2. 7.2 Layout Example
  8. 8器件和文档支持
    1. 8.1 商标
    2. 8.2 静电放电警告
    3. 8.3 术语表
  9. 9机械、封装和可订购信息
    1. 9.1 CSD87381P 封装尺寸
    2. 9.2 焊盘布局建议
    3. 9.3 模板建议 (100µm)
    4. 9.4 模板建议 (125µm)
    5. 9.5 引脚图
    6. 9.6 CSD87381P 压纹载带尺寸

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8 器件和文档支持

8.1 商标

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

8.2 静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时，应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中，以防止 MOS 门极遭受静电损伤。

8.3 术语表

SLYZ022 — TI 术语表。

这份术语表列出并解释术语、首字母缩略词和定义。