ZHCSC19B January   2014  – March 2022 CSD25310Q2

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 Trademarks
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Q2 Package Dimensions
    2. 7.2 Recommended PCB Pattern
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern
    4. 7.4 Q2 Tape and Reel Information

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQK|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 19.9mΩ、–20V P 沟道器件旨在以超薄且具有出色散热特性的极小封装提供更低的导通电阻和栅极电荷。该器件将低导通电阻与 SON 2mm × 2mm 塑料封装的极小封装尺寸融为一体，堪称电池供电型空间受限应用的理想之选。

GUID-4004D1B0-E3DA-4737-8890-CD408DCEAA60-low.pngRDS(on) 与 VGS 之间的关系
GUID-C3C643F4-92A5-420C-92F3-04C97226E4CD-low.png栅极电荷
产品概要
TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 -20 V
Qg 栅极电荷总量 (–4.5V) 3.6 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 0.5 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = -1.8V 59.0 mΩ
VGS = -2.5V 27.0 mΩ
VGS = -4.5V 19.9 mΩ
VGS(th) 阈值电压 -0.85 V

订购信息
器件介质数量封装配送
CSD25310Q27 英寸卷带3000SON 2 x 2mm
塑料封装		卷带包装
CSD25310Q2T7 英寸卷带250
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压-20V
VGS栅源电压±8V
ID持续漏极电流（受封装限制）-20A
持续漏极电流(1)-9.6A
IDM脉冲漏极电流(2)48A
PD功率耗散
  1. RθJA = 43°C/W，这是在一块厚度为 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 平方英寸（2 盎司）覆铜上测得的典型值。
2.9W
TJ，Tstg运行结温和储存温度范围-55 至 150°C
GUID-22B24D44-3046-46B1-8415-16EBD5DA3D42-low.gif图 3-1 顶视图