ZHCSC19C January 2014 – February 2025 CSD25310Q2
PRODUCTION DATA
3 说明
这款 19.9mΩ、–20V P 沟道器件旨在以超薄且具有出色散热特性的极小封装提供更低的导通电阻和栅极电荷。该器件将低导通电阻与 SON 2mm × 2mm 塑料封装的极小封装尺寸融为一体，堪称电池供电型空间受限应用的理想之选。
RDS(on) 与 VGS 之间的关系
栅极电荷产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (-4.5V) | 3.6 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 0.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS = -1.8V | 59.0 | mΩ |
| VGS = -2.5V | 27.0 | mΩ | ||
| VGS = -4.5V | 19.9 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | -0.85 | V | |
订购信息
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 运输 |
|---|---|---|---|---|
| CSD25310Q2 | 7 英寸卷带 | 3000 | SON 2mm x 2mm 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD25310Q2T | 7 英寸卷带 | 250 |
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源电压 | -20 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±8 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | -20 | A |
| 持续漏极电流(1) | -9.6 | A | |
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 48 | A |
| PD | 功率耗散
| 2.9 | W |
| TJ，Tstg | 运行结温和储存温度范围 | -55 至 150 | °C |
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