ZHCSFS9A December   2016  – March 2019 CSD18512Q5B

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     俯视图
      1.      Device Images
        1.       RDS(on) 与 VGS 对比
        2.       栅极电荷
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 术语表
  7. 7"机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q5B 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模板布局
    4. 7.4 Q5B 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

这款 40V、1.3mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

俯视图

CSD18512Q5B P0093-01_LPS198.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 40 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 75 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 13.3 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 4.5V 1.8 mΩ
VGS = 10V 1.3 mΩ
VGS(th) 阈值电压 1.6 V

订购信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 配送
CSD18512Q5B 2500 13 英寸卷带 SON 5mm × 6mm 塑料封装 卷带封装
CSD18512Q5BT 250 7 英寸卷带
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 值 单位
VDS 漏源电压 40 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流（受封装限制） 100 A
持续漏极电流（受芯片限制），
TC = 25°C 时测得		 211
持续漏极电流(1) 32
IDM 脉冲漏极电流(2) 400 A
PD 功耗(1) 3.1 W
功耗，TC = 25°C 139
TJ、
Tstg 		工作结温、
贮存温度		 –55 至 150 °C
EAS 雪崩能量，单一脉冲
ID = 64A，L = 0.1mH，RG = 25Ω		 205 mJ
  1. RθJA = 40°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 0.9°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%