ZHCSKK4C February   2010  – December 2019 CSD17308Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1.     俯视图
      1.      Device Images
        1.       RDS(on) 与 VGS 对比
        2.       栅极电荷
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 支持资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模版开孔
    4. 7.4 Q3 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQG|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

4 修订历史记录

Changes from B Revision (October 2015) to C Revision

  • Changed VGS(th) MAX specification in the Electrical Characteristics table, From 1.8 V : To 1.6 V Go

Changes from A Revision (February 2010) to B Revision

  • Added 向标题中添加了部件编号 Go
  • Added 受封装限制的持续漏极电流Go
  • Added 在绝对最大额定值 表格中添加了“功率耗散，TC = 25°C”行Go
  • 更新了脉冲电流条件Go
  • Updated Figure 1 to show RθJC curvesGo
  • Added 4.5 V curve in Figure 8Go
  • Updated Figure 10Go
  • Added 添加了器件和文档支持 部分Go
  • 更新了机械、封装和可订购信息部分Go

Changes from * Revision (February 2010) to A Revision

  • Deleted 删除了“封装标记信息”部分Go