ZHCSTJ9D August 2009 – October 2023 CSD16325Q5
PRODUCTION DATA
3 说明
NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
顶视图产品概要
| VDS | 漏源电压 | 25 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 18 | nC | |
| Qgd | 栅漏栅极电荷 | 3.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=3V | 2.1 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 1.7 | mΩ | ||
| VGS = 8V | 1.5 | mΩ | ||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.1 | V | |
订购信息
| 器件 | 封装 | 介质 | 数量 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16325Q5 | 5mm × 6mm SON 塑料封装 | 13 英寸卷带 | 2500 | 卷带包装 |
绝对最大额定值
| TA = 25°C 时测得，除非另有说明 | 值 | 单位 | |
| VDS | 漏源电压 | 25 | V |
| VGS | 栅源电压 | +10 / –8 | V |
| ID | 持续漏极电流，TC=25°C 时测得 | 100 | A) |
| 持续漏极电流(1) | 33 | A | |
| IDM | 脉冲漏极电流，TA = 25°C(2) | 200 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| TJ，TSTG | 运行结温和储存温度范围 | -55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单一脉冲 ID = 100A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 500 | mJ |
(1) 典型 RθJA = 38°C/W（在 0.06 英寸 (1.52mm) 厚的 FR4 PCB 上安装 1 平方英寸 (6.45cm2)、2oz、0.071mm 厚的铜焊盘时）。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
RDS(on) 与 VGS 之间的关系
栅极电荷