ZHCSU29E August 2009 – December 2023 CSD16321Q5
PRODUCTION DATA
3 说明
这款 25V、1.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
顶视图产品概要
| TA = 25°C | 典型值 | 单位 | ||
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 25 | V | |
| Qg | 栅极电荷总量 (4.5V) | 14 | nC | |
| Qgd | 栅极电荷（栅极到漏极） | 2.5 | nC | |
| RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=3V | 2.8 | mΩ |
| VGS = 4.5V | 2.1 | |||
| VGS = 8V | 1.9 | |||
| VGS(th) | 阈值电压 | 1.1 | V | |
器件信息(1)
| 器件 | 介质 | 数量 | 封装 | 出货 |
|---|---|---|---|---|
| CSD16321Q5 | 13 英寸卷带 | 2500 | SON 5.00mm × 6.00mm 塑料封装 | 卷带包装 |
| CSD16321Q5T | 7 英寸卷带 | 250 |
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
| TA = 25°C | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源极电压 | 25 | V |
| VGS | 栅源电压 | +10 / –8 | V |
| ID | 持续漏极电流（受封装限制） | 100 | A) |
| 持续漏极电流（受芯片限制），TC = 25°C 时测得 | 177 | ||
| 持续漏极电流(1) | 29 | ||
| IDM | 脉冲漏极电流(2) | 400 | A |
| PD | 功率耗散(1) | 3.1 | W |
| 功率耗散，TC = 25°C | 113 | ||
| TJ、 Tstg | 工作结温、 贮存温度 | –55 至 150 | °C |
| EAS | 雪崩能量，单脉冲 ID = 66A，L = 0.1mH，RG = 25Ω | 218 | mJ |
(1) RθJA = 40°C/W，这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
(2) 最大 RθJC = 1.1°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
RDS(ON)与 VGS 间的关系
栅极电荷