ZHCSD46C December   2014  – February 2022 CSD13383F4

PRODUCTION DATA  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4Revision History
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6Device and Documentation Support
    1. 6.1 支持资源
    2. 6.2 Trademarks
    3. 6.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 6.4 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Mechanical Dimensions
    2. 7.2 Recommended Minimum PCB Layout
    3. 7.3 Recommended Stencil Pattern

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • YJC|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

图 3-1 典型器件尺寸

产品概要
TA = 25°C典型值单位
VDS漏源电压12V
Qg总栅极电荷 (4.5V)2.0nC
Qgd栅极电荷（栅极到漏极）0.6nC
RDS(on)漏源导通电阻VGS = 2.5V53mΩ
VGS = 4.5V37
VGS(th)阈值电压1.0V

订购信息
器件(1)数量介质封装配送
CSD13383F430007 英寸卷带Femto (0402) 1.0mm × 0.6mm 无引线 SMD卷带包装
CSD13383F4T250
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
绝对最大额定值
TA = 25°C值单位
VDS漏源电压12V
VGS栅源电压±10V
ID持续漏极电流(1)2.9A
IDM脉冲漏极电流(1)(2)18.5A
IG持续栅极钳位电流25mA
脉冲栅极钳位电流(1)(2)250
PD功率耗散500mW
ESD 等级人体放电模型 (HBM)2kV
充电器件模型 (CDM)2kV
TJ、
Tstg		工作结温
贮存温度		–55 至 150°C
EAS雪崩能量，单脉冲 ID = 6.7，
L = 0.1mH，RG = 25Ω		2.2mJ
(1) 典型 RθJA = 250°C/W。
(2) 脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%.
GUID-6B9A3F15-2AE7-4A3C-B64D-8F707E5AC673-low.gif图 3-2 顶视图