ZHCSNY0C May   2020  – June 2026 BQ25798

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  器件上电复位
      2. 7.3.2  PROG 引脚配置
      3. 7.3.3  无输入源时通过电池实现器件上电
      4. 7.3.4  通过输入源实现器件上电
        1. 7.3.4.1 为 REGN LDO 上电
        2. 7.3.4.2 不良源鉴定
        3. 7.3.4.3 ILIM_HIZ 引脚
        4. 7.3.4.4 默认 VINDPM 设置
        5. 7.3.4.5 输入源类型检测
          1. 7.3.4.5.1 D+/D– 检测设置输入电流限制
          2. 7.3.4.5.2 HVDCP 检测过程
          3. 7.3.4.5.3 连接器故障检测
      5. 7.3.5  双输入电源多路复用器
        1. 7.3.5.1 ACDRV 开启条件
        2. 7.3.5.2 仅 VBUS 输入
        3. 7.3.5.3 单 ACFET-RBFET
        4. 7.3.5.4 双 ACFET-RBFET
      6. 7.3.6  降压/升压转换器运行
        1. 7.3.6.1 强制输入电流限制检测
        2. 7.3.6.2 输入电流优化器 (ICO)
        3. 7.3.6.3 用于小型 PV 电池板的最大功率点跟踪
        4. 7.3.6.4 脉冲频率调制 (PFM)
        5. 7.3.6.5 器件高阻态状态
      7. 7.3.7  USB On-The-Go (OTG)
        1. 7.3.7.1 为外部器件供电的 OTG 模式
        2. 7.3.7.2 备用电源模式
        3. 7.3.7.3 使用双输入多路复用器的备用模式
      8. 7.3.8  电源路径管理
        1. 7.3.8.1 窄 VDC 架构
        2. 7.3.8.2 动态电源管理
      9. 7.3.9  电池充电管理
        1. 7.3.9.1 自主充电周期
        2. 7.3.9.2 电池充电曲线
        3. 7.3.9.3 充电终止
        4. 7.3.9.4 充电安全计时器
        5. 7.3.9.5 热敏电阻认证
          1. 7.3.9.5.1 充电模式下的 JEITA 指南合规性
          2. 7.3.9.5.2 OTG 模式下的冷/热温度窗口
      10. 7.3.10 用于监测的集成 16 位 ADC
      11. 7.3.11 状态输出（STAT 和 INT）
        1. 7.3.11.1 充电状态指示灯（STAT 引脚）
        2. 7.3.11.2 主机中断 (INT)
      12. 7.3.12 运输 FET 控制
        1. 7.3.12.1 关断模式
        2. 7.3.12.2 运输模式
        3. 7.3.12.3 系统电源复位
      13. 7.3.13 保护功能
        1. 7.3.13.1 电压和电流监测
          1. 7.3.13.1.1  VAC 过压保护 (VAC_OVP)
          2. 7.3.13.1.2  VBUS 过压保护 (VBUS_OVP)
          3. 7.3.13.1.3  VBUS 欠压保护 (POORSRC)
          4. 7.3.13.1.4  系统过压保护 (VSYS_OVP)
          5. 7.3.13.1.5  系统短路保护 (VSYS_SHORT)
          6. 7.3.13.1.6  电池过压保护 (VBAT_OVP)
          7. 7.3.13.1.7  电池过流保护 (IBAT_OCP)
          8. 7.3.13.1.8  输入过流保护 (IBUS_OCP)
          9. 7.3.13.1.9  OTG 过压保护 (OTG_OVP)
          10. 7.3.13.1.10 OTG 欠压保护 (OTG_UVP)
        2. 7.3.13.2 热调节和热关断
      14. 7.3.14 串行接口
        1. 7.3.14.1 数据有效性
        2. 7.3.14.2 启动条件和停止条件
        3. 7.3.14.3 字节格式
        4. 7.3.14.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 7.3.14.5 目标地址和数据方向位
        6. 7.3.14.6 单独写入和读取
        7. 7.3.14.7 多个写入和多个读取
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 主机模式和默认模式
      2. 7.4.2 复位寄存器位
    5. 7.5 寄存器映射
      1. 7.5.1 I2C 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 PV 电池板选择
        2. 8.2.2.2 电感器选型
        3. 8.2.2.3 输入 (VBUS/PMID) 电容器
        4. 8.2.2.4 输出 (VSYS) 电容器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.2.3 输入 (VBUS/PMID) 电容器

在降压模式运行时，输入电流是不连续的，这决定了输入 RMS 纹波电流和输入电压纹波。输入电容器应具有足够大的额定纹波电流来吸收输入交流电流，并具有足够大的电容来保持较小的输入电压纹波。对于降压模式运行，输入 RMS 纹波电流通过公式 (6) 计算，输入电压纹波通过公式 (7) 计算，其中 D = VSYS/VBUS。

方程式 7. BQ25798
方程式 8. BQ25798

最坏情况下的输入 RMS 纹波电流和输入电压纹波都出现在 0.5 占空比条件下。对于 2s 电池配置，SYS 电压约为 8V，因此最坏情况发生在 15V 至 20V VBUS 条件下。X7R 或 X5R 等低 ESR 陶瓷电容器是输入去耦电容器的理想选择，应尽可能靠近 IC 的 PMID 和 GND 引脚放置。电容器的额定电压必须高于正常输入电压水平。对于高达 20V 的输入电压，首选额定电压为 25V 或更高的电容器。建议为高达 3.3A 的输入电流限制使用 1*0.1μF + 3*10μF 陶瓷电容器，以在正向模式下支持转换器。

移除适配器后，在切换到备用模式期间，PMID 电容还能维持 PMID 电源轨的电压。对于使用备用模式的应用，建议在 PMID 处额外增加一个 2*33μF POSCAP。