自举电容器（C2，图 7-1）在左侧半桥的低侧 FET 的 PWM 导通时间内充电。在 PWM 关断期间，C2 随开关引脚电压上升，并用作 AMC0100R 电源。在充电阶段，R4 用作限流电阻器，D1 用于防止反向电流在放电阶段流回自举电源。

在 PWM 导通时间内，C2 的充电电压取决于自举电源和限流电阻器 R2 的值。此外，此电压还取决于 PWM 占空比和二极管 D1 的正向电压 (V_{F, D1})。

在 PWM 关断时间内，C2 的放电电压取决于 D1 的反向恢复时间。此外，此电压还取决于 PWM 占空比和 AMC0100R 的电流消耗 (I_VDD1)。为了更大限度地降低开关损耗，请选择一个具有高正向电流能力的快速开关二极管。

确保 C2 具有适当的大小，可在最大 PWM 关断时间内支持最大 IDD1 电流。在此期间，请确保 C2 不会放电至低于 3V 的最小建议 VDD1 电压。较低的电容值可加快充电速度，因此支持较低的 PWM 占空比。但较低的值也会产生更大的电压纹波，并限制最大 PWM 关断时间。在本例中，目标是让纹波电压 (V_RIPPLE) 小于 200mV。最大 PWM 关断时间为 95% × (1 / f_PWM) = 0.95 × 62.5µs，约为 60µs。IDD1_MAX 指定为 6.7mA。最小电容值的计算公式为 C_{2, MIN} = IDD1_MAX × t_{PWM-OFF, MAX} / V_RIPPLE = 6.7mA × 60µs / 200mV = 2.0µF。选择 4.7µF 电容器，以便考虑到元件容差并为设计增加一些裕度。

确保自举电路支持在 5% × (1/f_PWM) = 0.05 × 62.5µs 或约 3.1µs 的最小 PWM 导通时间内对 C2 再充电。在此期间的平均充电电流为 C2 × V_RIPPLE / t_{PWM-ON, MIN} = 4.7µF × 200mV/3.1µs，约为 300mA。此电流是二极管 D1 必须支持的最小正向电流。二极管 D1 和限流电阻器 R4 上允许的最大压降由最小电容器电压和 V_BS 值决定。最小电容器电压为 3V，相当于 VDD1_MIN。V_BS 是自举电源电压，等于 6V。假设使用 1V 的二极管正向电压。确保 R4 < (V_BS – V_{F, D1} – V_{C2, MIN} )/I_CHARGE = (6V – 1V – 3V)/300mA = 6Ω。选择 2Ω 电阻器来提供设计裕度。