ZHCST73A May   2025  – September 2025 ADS9326 , ADS9327

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  热性能信息
    4. 6.4  建议运行条件
    5. 6.5  电气特性 
    6. 6.6  电气特性：AVDD = 5V
    7. 6.7  电气特性：AVDD = 3.3V
    8. 6.8  时序要求
    9. 6.9  开关特性
    10. 6.10 时序图
    11. 6.11 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 模拟输入
      2. 7.3.2 参考
        1. 7.3.2.1 内部基准
          1. 7.3.2.1.1 具有 5V AVDD 的可选内部基准
        2. 7.3.2.2 外部基准
        3. 7.3.2.3 采用外部基准缓冲器的外部基准
      3. 7.3.3 ADC 传递函数
      4. 7.3.4 数据接口
      5. 7.3.5 可编程数据平均滤波器
        1. 7.3.5.1 简单平均
          1. 7.3.5.1.1 使用非连续 CONVST 的简单平均
        2. 7.3.5.2 移动平均值
      6. 7.3.6 输出数据接口上的 CRC
      7. 7.3.7 ADC 输出数据随机数发生器
      8. 7.3.8 数据帧宽度
      9. 7.3.9 菊花链模式
        1. 7.3.9.1 菊花时钟模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 复位
      2. 7.4.2 正常运行
      3. 7.4.3 低延时模式
      4. 7.4.4 CS-CONVST 短接模式
      5. 7.4.5 寄存器读取模式
      6. 7.4.6 初始化序列
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 寄存器操作的 SPI 帧长度
      2. 7.5.2 寄存器映射锁定
      3. 7.5.3 寄存器写入
      4. 7.5.4 寄存器读取
  9. 8 寄存器映射：ADS9327
    1. 8.1 寄存器组 0
    2. 8.2 寄存器组 1
    3. 8.3 寄存器组 2
  10. 9 寄存器映射：ADS9326
    1. 9.1 寄存器组 0
    2. 9.2 寄存器组 1
    3. 9.3 寄存器组 2
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 模拟 1VPP 正弦-余弦编码器接口
      2. 10.2.2 设计要求
      3. 10.2.3 详细设计过程
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
  • VAE|22
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性 

在 AVDD = 3V 至 5.25V，VDD_1V8 = 1.75V 至 1.85V，内部基准，以及最大吞吐量条件下测得（除非另有说明）；TA = –40°C 至 +125°C 时的最小值和最大值；TA = 25°C 时的典型值
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
直流性能
分辨率 无丢码 16 位
DNL 微分非线性 -0.75 ±0.4 0.75 LSB
INL 积分非线性 -1 ±0.25 1 LSB
V(OS) 输入失调电压误差 -2 ±0.4 2 LSB
dVOS/dT 输入偏移误差热漂移 0.6 2 µV/°C
失调误差匹配 V(OS) (ADC_A – ADC_B) 1 LSB
GE 增益误差(1) -0.02 ±0.002 0.02 %FSR
dGE/dT 增益误差热漂移 基准缓冲器打开(1) 0.8 2.2 ppm/°C
dGE/dT 增益误差热漂移 基准缓冲器关闭(2) 0.25 0.9 ppm/°C
增益误差匹配 GE (ADC_A – ADC_B) ±0.002 %FSR
电源
PSRR 电源抑制比 AVDD 上的 100mVPP 纹波频率 < 100kHz 80 dB
模拟输入
CSH 采样电容 18 pF
BW 模拟输入带宽 –0.1dB 输入信号 1.5 MHz
IB 模拟输入泄漏电流 空闲通道 0.5 1 µA
共模输出缓冲器
VCMOUT 共模输出电压 VREF = 4.096V 2.2 2.24 2.28 V
输出电流驱动 0 15
μA
内部基准
VREF REFIO 引脚上的电压（配置为输出） REFIO 引脚上的 1μF 电容器，TA = 25°C VREF – 0.005 VREF VREF + 0.005 V
基准温漂 5 15
ppm/°C
数字输入
VIL 输入低逻辑电平 -0.1 0.5 V
VIH 输入高逻辑电平 IOVDD – 0.5 IOVDD V
数字输出
VOL 输出低逻辑电平 IOL = 200µA 灌电流 0 0.4 V
VOH 输出高逻辑电平 IOH = 200µA 拉电流 IOVDD – 0.4 IOVDD V
采样动态
tA 孔径延迟 4 ns
孔径不匹配 100 ps
tJITTER 孔径抖动 1 ps
(1) 这些规格包括整个温度范围变化，但不包括内部基准产生的误差。
(2) 有关详细信息，请参阅使用外部基准缓冲器的外部基准。