ZHCADD2
November 2023
LM5113-Q1
,
LMG1205
,
LMG1210
1
摘要
商标
1
引言
2
自举过充
3
自举过充建模
4
更改自举元件
5
齐纳二极管法
6
肖特基二极管法
7
过压钳位方法
8
有源开关方法
9
同步 GaN 自举方法
10
防止自举过充的其他方法
10.1
缩短死区时间
10.2
选择辅助电源
10.3
调整栅极电压
11
总结
12
参考文献
12
参考文献
德州仪器 (TI),
GaN 是否具有体二极管?– 了解 GaN 的第三象限运行
德州仪器 (TI),
针对半桥配置的自举电路选择
应用手册
德州仪器 (TI),
LM5113-Q1 汽车类 90V、1.2A、5A 半桥 GaN 驱动器
数据表
德州仪器 (TI),
LMG1205 具有集成自举二极管的 100V、1.2A 至 5A 半桥 GaN 驱动器
数据表
德州仪器 (TI),
LMG1210 具有可调节死区时间、适用于高达 50MHz 的应用的 200V、1.5A、3A 半桥 MOSFET 和 GaN FET 驱动器
数据表
德州仪器 (TI),
UCC12041-Q1 高密度、低 EMI、3kVRMS 基础型隔离式直流转换器
数据表