LMG1210 LMG1210 高级 eGaN FET 300V 半桥驱动器 | 德州仪器 TI.com.cn

LMG1210 (正在供货)

LMG1210 高级 eGaN FET 300V 半桥驱动器

 

描述

LMG1210 是一款 200V 半桥高性能氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器,专为要求高开关速度、最短死区时间以及高效率的 应用 而设计。当使用较高的辅助电压时,驱动电压由内部 LDO 精确控制至 5V。

LMG1210 GaN 驱动器经精心设计, 应用中 ,并 具有 可提供超高频可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 1.5ns 高侧/低侧匹配,以优化系统效率。

GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF,以减少额外的开关损耗。外部自举二极管用于对高侧自举电容器充电,以便提供适用于电路工作条件的最佳选择。

当低侧不导通时,内部开关会关闭自举二极管,以有效防止高侧自举过度充电,并在将硅二极管用作自举二极管时将反向恢复电荷降至最低。

GaN 驱动器可在两种不同的模式下工作:独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下,两个补偿输出信号由单个输入产生,用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行,并采用低电感 WQFN 封装。

特性

  • 50MHz 的超高速运行
    • 10ns 典型传播延迟
    • 1.5ns 高侧至低侧匹配
    • 最小脉冲宽度为 3ns
  • 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
  • 两个控制输入选项
    • 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
    • 独立输入模式
  • 300V/ns 的高 CMTI 抗扰度
  • 外部自举二极管可实现灵活性
  • 低于 1pF 的高侧至低侧电容
  • UVLO 和过热保护
  • 低电感 WQFN 封装

All trademarks are the property of their respective owners.

参数

与其它产品相比 半桥驱动器 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 Number of channels (#) Power switch Peak output current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise time (ns) Fall time (ns) Prop delay (ns) Input threshold Features Rating Operating temperature range (C) Package Group
LMG1210 立即下单 2     MOSFET
GaNFET    
3     6     18     0.5     0.5     10     TTL       Catalog     -40 to 125     WQFN | 19    
LM5113-Q1 立即下单 2     MOSFET
GaNFET    
5     4.5     5.5     7     3.5     30     TTL       Automotive     -40 to 125     WSON | 10    
LMG1020 立即下单 1     MOSFET
GaNFET    
7     4.75     5.25     0.4     0.4     2.5     TTL     low-side, ultra-fast     Catalog     -40 to 125     DSBGA | 6    
LMG1205 立即下单 2     MOSFET
GaNFET    
5     4.5     5.5     7     3.5     35     TTL       Catalog     -40 to 125     DSBGA | 12