用半導體保險絲取代熔斷保險絲

標準熔斷保險絲會透過大電流熔斷來中斷電流。圖 4 中所示的 TCC 曲線代表此熔斷行為。

會影響保險絲特性的因素不少，例如接點電阻、空氣溫度和電流瞬態。由於這些因素使然，系統設計人員會根據額定運作電流、運作溫度範圍、突入電流和電流瞬態形狀降低保險絲額定熔點 I²t (安培平方秒) 額定值。例如，將保險絲額定電流降至 25% 可能會防止保險絲發生干擾性熔斷。

選擇保險絲型的降額電流，此意味著線束中的電流隨保險絲溫度條件的不同而變化。線束設計人員可能必須選擇不太理想的線束儀表，以便在某些溫度條件下通過保險絲允許的較高電流。

進一步最佳化線束線路的其中一個想法，是使用具有 I²t 特性的半導體高壓側開關積體電路 (IC)。典型的高壓側開關包含過電流防護，也就是當電流超過特定閾值時，高壓側開關不是箝制電流就是自行開啟，進而保護下游線束和負載。將 I²t 功能新增至高側開關，切換器會視電流 (或更具體的電流平方) 流經的電流而在不同時間開啟。使用 I²t 型半導體高壓側開關可減少保險絲特性的變化，進而使線束儀表更為最佳化，有助於進一步減輕線束重量。