ZHCSCF9 May   2014 BUF16821-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用范围
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 Handling Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Timing Requirements
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Two-Wire Bus Overview
      2. 7.3.2 Data Rates
      3. 7.3.3 General-Call Reset and Power-Up
      4. 7.3.4 Output Voltage
      5. 7.3.5 Updating the DAC Output Voltages
      6. 7.3.6 DIE_ID and DIE_REV Registers
      7. 7.3.7 Read and Write Operations
        1. 7.3.7.1 Read and Write: DAC and VCOM Register (Volatile Memory)
        2. 7.3.7.2 Writing: DAC and VCOM Register (Volatile Memory)
        3. 7.3.7.3 Reading: DAC, VCOM, Other Register (Volatile Memory)
        4. 7.3.7.4 Write: Nonvolatile Memory for the DAC Register
        5. 7.3.7.5 Read: Nonvolatile Memory for the DAC Register
      8. 7.3.8 Output Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 End-User Selected Gamma Control
      2. 7.4.2 Dynamic Gamma Control
    5. 7.5 Programming
      1. 7.5.1 Addressing the Device
      2. 7.5.2 Nonvolatile Memory
        1. 7.5.2.1 BKSEL Pin
        2. 7.5.2.2 General Acquire Command
        3. 7.5.2.3 Single-Channel Acquire Command
        4. 7.5.2.4 MaxBank
        5. 7.5.2.5 Parity Error Correction
    6. 7.6 Register Maps
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 General PowerPAD Design Considerations
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档　
    2. 11.2 Trademarks
    3. 11.3 Electrostatic Discharge Caution
    4. 11.4 Glossary
  12. 12机械封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 具有符合 AEC-Q100 标准的以下结果：
    • 温度等级 3：-40°C 至 85°C
    • 人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B
  • 16 通道 P 伽马，2 通道 P-VCOM，10 位分辨率
  • 16x 可重写非易失性存储器
  • 两个独立的引脚可选存储器组
  • 轨至轨输出：
    • 300mV（最小值）电源轨摆幅 (10mA)
    • > 300mA（最大值）IOUT
  • 电源电压：9V 至 20V
  • 数字电源：2V 至 5.5V
  • I2C™ 接口：支持 400kHz 和 2.7MHz

2 应用范围

    TFT-LCD 基准驱动器

    功能方框图

    fbd_sbos712.gif

3 说明

BUF16821-Q1 提供 16 条可编程伽马通道，以及两个可编程 VCOM 通道。 最终的伽马和 VCOM 值可被存储在片上、非易失性存储器中。 为了应对编程错误时或使液晶显示屏 (LCD) 面板重新开始工作，此器件支持多达 16 个对片上存储器的写操作。

此器件具有两个独立的存储器组，可实现两个不同伽马曲线的同时存储，从而使伽马曲线之间的切换更加便捷。 所有伽马和 VCOM 通道提供一个轨到轨输出，此输出在 10mA 负载时，通常在任一电源轨的 150mV 内摆动。 可使用一个 I2C 接口对所有通道进行编程，这个接口支持高达 400kHz 的标准运行，以及高达 2.7MHz 的高速数据传输。

此器件使用德州仪器 (TI) 专有的、最先进的高压 CMOS 工艺制造。 这一工艺提供高达 20V 的高密度逻辑和高电源电压运行。此器件采用带散热片薄型小外形尺寸 (HTSSOP)-28 PowerPAD™ 封装，并且在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内额定运行。

器件信息(1)

产品型号 封装 封装尺寸（标称值）
BUF16821-Q1 HTSSOP (28) 9.70mm x 4.40mm
  1. 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

4 修订历史记录

日期 修订版本 注释
2014 年 5 月 * 最初发布。