ZHCSQS9E November   2007  – January 2024 TPS5430-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议工作条件
    4. 5.4 热性能信息（DDA 封装）
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  振荡器频率
      2. 6.3.2  电压基准
      3. 6.3.3  使能（ENA）和内部慢启动
      4. 6.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5  升压电容器（BOOT）
      6. 6.3.6  输出反馈（VSENSE）和内部补偿
      7. 6.3.7  电压前馈
      8. 6.3.8  脉宽调制 (PWM) 模式
      9. 6.3.9  过流限制
      10. 6.3.10 过压保护 (OVP)
      11. 6.3.11 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 6.4.2 在实施 ENA 控制的情况下运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用电路，12 V 至 5 V
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 开关频率
          3. 7.2.1.2.3 输入电容器
          4. 7.2.1.2.4 输出滤波器元件
            1. 7.2.1.2.4.1 电感器选择
            2. 7.2.1.2.4.2 电容器选型
          5. 7.2.1.2.5 输出电压设定点
          6. 7.2.1.2.6 启动电容器
          7. 7.2.1.2.7 环流二极管
          8. 7.2.1.2.8 高级信息
            1. 7.2.1.2.8.1 输出电压限制
            2. 7.2.1.2.8.2 内部补偿网络
            3. 7.2.1.2.8.3 热计算
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 9V 至 21V 输入到 5V 输出应用电路
      3. 7.2.3 使用陶瓷输出滤波电容器的电路
        1. 7.2.3.1 输出滤波器元件选择
        2. 7.2.3.2 外部补偿网络
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

TJ = –40°C 至 +125°C，VIN = 5.5V 至 36V。除非另有说明，否则典型值是 TJ = 25°C 并且 VIN = 12V
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压（VIN 引脚）
IQ(VIN) VIN 静态电流   非开关，VSENSE = 2V，PH 引脚开路 2 4.4 mA
ISD(VIN) VIN 关断电源电流 关断，ENA = 0V 15 50 µA
UVLO
VINUVLO(R) VIN UVLO 上升阈值 VVIN 上升 5.3 5.5 V
VINUVLO(H) VIN UVLO 迟滞 0.35 V
电压基准
VFB FB 电压 TJ = 25°C  1.202 1.221 1.239 V
VFB FB 电压 TJ = –40°C 至 125°C 1.196 1.221 1.245 V
振荡器
fSW 开关频率 400 500 600 kHz
tON(min) 最小 ON 脉冲宽度 。 150 200 ns
DMAX 最大占空比 fSW = 500kHz 87% 89%
使能（ENA 引脚）
VEN(R) ENA 电压上升阈值 1.3 V
VEN(F) ENA 电压下降阈值 0.5 V
VEN(H) ENA 电压迟滞 325 mV
tSS 内部慢启动时间（0~100%） 5.4 8 10 ms
过流保护
IHS(OC) 高侧峰值电流限制 4.0 5.0 7.0 A
重启之前的断续时间 13 16 21 ms
输出 MOSFET
RDSON(HS) 高侧 MOSFET 导通电阻 VIN = 12V，VBOOT-SW = 4.5V 100 230 mΩ
RDSON(HS) 高侧 MOSFET 导通电阻 VIN = 5.5V，VBOOT-SW = 4.0V 125 mΩ
热关断
TJ(SD) 热关断阈值(1) 温度上升 135 162 °C
TJ(HYS) 热关断迟滞 (1) 14 °C
(1) 参数由相关参数的设计、统计分析和生产测试指定。未经生产测试。