ZHCSQS9E November   2007  – January 2024 TPS5430-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议工作条件
    4. 5.4 热性能信息（DDA 封装）
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  振荡器频率
      2. 6.3.2  电压基准
      3. 6.3.3  使能（ENA）和内部慢启动
      4. 6.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5  升压电容器（BOOT）
      6. 6.3.6  输出反馈（VSENSE）和内部补偿
      7. 6.3.7  电压前馈
      8. 6.3.8  脉宽调制 (PWM) 模式
      9. 6.3.9  过流限制
      10. 6.3.10 过压保护 (OVP)
      11. 6.3.11 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 6.4.2 在实施 ENA 控制的情况下运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用电路，12 V 至 5 V
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 开关频率
          3. 7.2.1.2.3 输入电容器
          4. 7.2.1.2.4 输出滤波器元件
            1. 7.2.1.2.4.1 电感器选择
            2. 7.2.1.2.4.2 电容器选型
          5. 7.2.1.2.5 输出电压设定点
          6. 7.2.1.2.6 启动电容器
          7. 7.2.1.2.7 环流二极管
          8. 7.2.1.2.8 高级信息
            1. 7.2.1.2.8.1 输出电压限制
            2. 7.2.1.2.8.2 内部补偿网络
            3. 7.2.1.2.8.3 热计算
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 9V 至 21V 输入到 5V 输出应用电路
      3. 7.2.3 使用陶瓷输出滤波电容器的电路
        1. 7.2.3.1 输出滤波器元件选择
        2. 7.2.3.2 外部补偿网络
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (April 2015)to RevisionE (January 2024)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 更新了数据表标题，以包含“汽车类”。在数据表中通篇添加了 WEBENCH® 链接向提到的 PowerPAD 封装添加了“集成电路”。将 MOSFET 电阻从 110mΩ 更改为 100mΩ。将 I Q 从 18µA 更改为 15µAGo
  • 更新了“封装信息”表的注释。将精度更新为两位有效数字Go
  • 将引脚配置图标题更改为“DDA 封装 8 引脚 SOIC（带散热焊盘）顶视图”，并将标题移至正确的位置。将“PowerPAD”更改为“DAP”Go
  • 将“绝对最大额定值”表更新为新格式，其中不包括特定参数名称，但包括最小值和最大值列。在表头中标出了 TJ。使用了引脚名称而不是信号名称。BOOT 和 PH 电压现在标记为输出电压。更新了脚注并删除了注释 2Go
  • 将 BOOT 至 PH 绝对最大值从 10V 更改为 6VGo
  • 删除了 BOOT 至 GND 电压的绝对最大额定值Go
  • 删除了 MM ESDGo
  • 将 CDM ESD 电压从 ±1500V 更改为 ±750VGo
  • 将建议的工作“VI”更改为“输入电压”Go
  • 更新了热性能信息脚注以匹配当前 TI 标准，其中包括 JEDEC 标准信息。添加了 EVM RθJA 信息Go
  • 将 RθJA 从 41.2 更改为 42.3，将 RθJC(top) 从 44.4 更改为 46，将 RθJB 从 22.1 更改为 15，将 ψJB 从 21.9 更改为 15.3，并将 RθJC(bot) 从 3 更改为 6Go
  • 添加了典型规格 EC 表头的条件，添加了参数名称，并在参数描述中使用了引脚名称。添加了表注Go
  • 将 VFB 的测试条件从“IO = 0A 至 3A”更改为“TJ =–40°C 至 125°C”，将 rDS(ON) 更改为 RDSON(HS)，并将 RDSON(HS) 的测试条件从“VIN = 5.5V”更改为“VIN = 5.5V，VBOOT-SW = 4.0V”。Go
  • 将 IQ 的名称在 ENA 为低电平时更改为 ISD(VIN)，在芯片处于激活状态时更改为 IQ(VIN) Go
  • 添加了 DMAX 的测试条件“fSW = 500kHz”，并添加了第二个 RDSON(HS) 规格的测试条件“VIN = 12V，VBOOT-SW = 4.5V”Go
  • 将 IQ(VIN) 典型值从 3mA 更改为 2mA，将 ISD(VIN) 典型值从 18µA 更改为 15µA，将 VINUVLO(H) 从 330mV 更改为 0.35V，并将 VEN(H) 从 450mV 更改为 325mVGo
  • 将 VIN = 5V 时的 RDS(ON) 典型值从 150mΩ 更改为 125mΩ，并将 VIN = 12V 时的典型值从 110mΩ 更改为 100mΩGo
  • 将概述 中的“110mΩ 高侧 MOSFET”更改为“100mΩ 高侧 MOSFET”，并将 18µA 更改为 15µAGo
  • 将功能方框图中的“PowerPAD”更改为“DAP”Go
  • 将使能 (ENA) 和内部慢启动 部分中的关断电流从 18μA 更改为 15μAGo
  • 将 UVLO 描述中的 UVLO 迟滞从 330mV 更改为 350mVGo
  • 将图 7-1中 TPS5430DDA 封装图的“PwPd”更改为“DAP”，并将电路说明中的“裸露的散热焊盘”更改为“DAP”Go
  • 添加了“使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案”部分Go
  • 将图 7-9 和图 7-10 中 TPS5430DDA 封装图上的“PwPd”更改为“DAP”Go
  • 将图 7-11 中 TPS5430DDA 封装图上的“PwPd”更改为“DAP”Go
  • 从布局示例 部分删除了焊盘图案Go
  • 添加了“使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案”部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (July 2009)to RevisionD (April 2015)

  • 从标题中删除了 Swift™Go
  • 添加了 ESD 等级 表、特性说明 部分、器件功能模式、应用和实施 部分、电源相关建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go