ZHCSQS9E November   2007  – January 2024 TPS5430-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议工作条件
    4. 5.4 热性能信息(DDA 封装)
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  振荡器频率
      2. 6.3.2  电压基准
      3. 6.3.3  使能(ENA)和内部慢启动
      4. 6.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5  升压电容器(BOOT)
      6. 6.3.6  输出反馈(VSENSE)和内部补偿
      7. 6.3.7  电压前馈
      8. 6.3.8  脉宽调制 (PWM) 模式
      9. 6.3.9  过流限制
      10. 6.3.10 过压保护 (OVP)
      11. 6.3.11 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 6.4.2 在实施 ENA 控制的情况下运行
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 应用电路,12 V 至 5 V
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 开关频率
          3. 7.2.1.2.3 输入电容器
          4. 7.2.1.2.4 输出滤波器元件
            1. 7.2.1.2.4.1 电感器选择
            2. 7.2.1.2.4.2 电容器选型
          5. 7.2.1.2.5 输出电压设定点
          6. 7.2.1.2.6 启动电容器
          7. 7.2.1.2.7 环流二极管
          8. 7.2.1.2.8 高级信息
            1. 7.2.1.2.8.1 输出电压限制
            2. 7.2.1.2.8.2 内部补偿网络
            3. 7.2.1.2.8.3 热计算
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 9V 至 21V 输入到 5V 输出应用电路
      3. 7.2.3 使用陶瓷输出滤波电容器的电路
        1. 7.2.3.1 输出滤波器元件选择
        2. 7.2.3.2 外部补偿网络
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

引脚配置和功能

GUID-20231103-SS0I-B5SN-SWCX-GZSMRNZKQZXX-low.svg图 4-1 DDA 封装8 引脚 SOIC(带散热焊盘)顶视图
表 4-1 引脚功能
引脚 类型 说明
编号 名称
1 BOOT O 高侧 FET 栅极驱动器的升压电容器。从 BOOT 引脚至 PH 引脚连接一个 0.01μF 低 ESR 电容器。
2、3 NC 无连接,不是 IO
4 VSENSE I 稳压器的反馈电压。连接到输出电压分压器。
5 ENA I 导通和关闭控制。低于 0.5V,器件停止切换。悬空引脚以启用。
6 GND 地。连接至 DAP。
7 VIN I 输入电源电压。旁路 VIN 引脚至 GND 引脚靠近采用高质量、低 ESR 陶瓷电容器的器件封装。
8 PH O 高侧功率 MOSFET 的源极。连接至外部电感器和二极管。
DAP 必须将 GND 引脚连接到外露焊盘才能正常运行。