ZHCSIW2C July   2000  – October 2018 LF198-N , LF298 , LF398-N

PRODUCTION DATA.  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
    1.     Device Images
      1.      典型连接
      2.      采集时间
  4. 修订历史记录
  5. Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 Recommended Operating Conditions
    3. 6.3 Thermal Information
    4. 6.4 Electrical Characteristics, LF198-N and LF298
    5. 6.5 Electrical Characteristics, LF198A-N
    6. 6.6 Electrical Characteristics, LF398-N
    7. 6.7 Electrical Characteristics, LF398A-N (OBSOLETE)
    8. 6.8 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
    1. 7.1 TTL and CMOS 3 V ≤ VLOGIC (Hi State) ≤ 7 V
    2. 7.2 CMOS 7 V ≤ VLOGIC (Hi State) ≤ 15 V
    3. 7.3 Operational Amplifier Drive
  8. Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Hold Capacitor
      2. 9.1.2 DC and AC Zeroing
      3. 9.1.3 Logic Rise Time
      4. 9.1.4 Sampling Dynamic Signals
      5. 9.1.5 Digital Feedthrough
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1  X1000 Sample and Hold
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2  Sample and Difference Circuit
      3. 9.2.3  Ramp Generator With Variable Reset Level
      4. 9.2.4  Integrator With Programmable Reset Level
      5. 9.2.5  Output Holds at Average of Sampled Input
      6. 9.2.6  Increased Slew Current
      7. 9.2.7  Reset Stabilized Amplifier
      8. 9.2.8  Fast Acquisition, Low Droop Sample and Hold
      9. 9.2.9  Synchronous Correlator for Recovering Signals Below Noise Level
      10. 9.2.10 2-Channel Switch
      11. 9.2.11 DC and AC Zeroing
      12. 9.2.12 Staircase Generator
      13. 9.2.13 Differential Hold
      14. 9.2.14 Capacitor Hysteresis Compensation
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 器件命名规则
    2. 12.2 相关链接
    3. 12.3 社区资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

说明

LFx98x 器件是采用 BI-FET 技术的单片采样保持电路,利用快速采集信号和低下降率获得超高的直流精度。作为单位增益跟随器,直流增益精度为 0.002%(典型值),采集时间低至 6μs (0.01%)。采用双极输入级以实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调整是通过单个引脚完成的,不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许将 LFx98x 包含在 1MHz 运算放大器的反馈环路内,而不会出现稳定性问题。输入阻抗为 1010Ω,允许使用高源阻抗,而不会降低精度。

P 通道结型 FET 与输出放大器中的双极器件相结合,通过 1μF 保持电容器提供低至 5mV/min 的下降率。JFET 的噪声显著低于先前设计中使用的 MOS 器件,并且不会出现高温不稳定性。总体设计可确保在保持模式下没有输入到输出的馈通,即使输入信号等于电源电压。

LFx98x 上的逻辑输入与低输入电流完全不同,允许直接连接到 TTL、PMOS 和 CMOS。差分阈值为
1.4V。LFx98x 由 ±5V 至 ±18V 的电源供电。

A 版本可提供更严格的电气规格。

器件信息(1)

器件编号 封装 封装尺寸(标称值)
LF298、LF398-N SOIC (14) 8.65mm × 3.91mm
LFx98x TO-99 (8) 9.08mm × 9.08mm
LF398-N PDIP (8) 9.81mm × 6.35mm
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。