ZHCSAE5B September   2012  – April 2018 CSD86360Q5D

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
    1. 3.1 俯视图
      1.      Device Images
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 Recommended Operating Conditions
    3. 5.3 Power Block Performance
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Power Block Device Characteristics
    7. 5.7 Typical Power Block MOSFET Characteristics
  6. 6Application and Implementation
    1. 6.1 Application Information
      1. 6.1.1 Equivalent System Performance
      2. 6.1.2 Power Loss Curves
      3. 6.1.3 Safe Operating Area (SOA) Curves
      4. 6.1.4 Normalized Curves
    2. 6.2 Typical Application
      1. 6.2.1 Design Example: Calculating Power Loss and SOA
        1. 6.2.1.1 Operating Conditions
        2. 6.2.1.2 Calculating Power Loss
        3. 6.2.1.3 Calculating SOA Adjustments
  7. 7Layout
    1. 7.1 Layout Guidelines
      1. 7.1.1 Electrical Performance
      2. 7.1.2 Thermal Performance
    2. 7.2 Layout Example
  8. 8器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 社区资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  9. 9机械、封装和可订购信息
    1. 9.1 Q5D 封装尺寸
    2. 9.2 焊盘布局建议
    3. 9.3 模版建议
    4. 9.4 Q5D 卷带信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

静电放电警告

esds-image

这些装置包含有限的内置 ESD 保护。 存储或装卸时,应将导线一起截短或将装置放置于导电泡棉中,以防止 MOS 门极遭受静电损伤。