ZHCSE28A August   2015  – May 2016 CSD19537Q3

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 社区资源
    2. 6.2 商标
    3. 6.3 静电放电警告
    4. 6.4 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 Q3 封装尺寸
    2. 7.2 建议 PCB 布局
    3. 7.3 建议模版开孔
    4. 7.4 Q3 卷带信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DQG|8
订购信息

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用范围

  • 一次侧隔离式转换器
  • 电机控制

说明

这款 100V、12.1mΩ SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗。

顶视图
CSD19537Q3 p0095-01_lps202.gif

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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 16 nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极) 2.9 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 13.8
VGS = 10V 12.1
VGS(th) 阈值电压 3 V

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订购信息(1)

器件 包装介质 数量 封装 运输
CSD19537Q3 13 英寸卷带 2500 SON 3.3 x 3.3mm
塑料封装
卷带封装
CSD19537Q3T 13 英寸卷带 250
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流(受封装限制) 50 A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 53 A
持续漏极电流(1) 9.7 A
IDM 脉冲漏极电流(2) 219 A
PD 功率耗散(1) 2.8 W
功率耗散,TC = 25°C 83 W
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 150 °C
EAS 雪崩能量,单一脉冲
ID = 33A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
55 mJ
  1. RθJA = 45°C/W,这是在 0.06 英寸厚 FR4 PCB 上的 1 平方英寸、2oz 铜焊盘上测得的典型值。
  2. 最大 RθJC = 1.5°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%.

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD19537Q3 D007_SLPS549.gif

栅极电荷

CSD19537Q3 D004_SLPS549_FP.gif