PMP21842

具有 HV GaN FET 的 12V/500W 谐振转换器参考设计

PMP21842

设计文件

概述

此高频谐振转换器参考设计使用谐振频率为 500kHz 的谐振回路,在 380V 至 400V 的输入电压范围内提供 12V 稳压输出。此设计使用我们的高电压 GaN 器件以及 UCD3138A 和 UCD7138 来优化死区时间和同步整流器 (SR) 导通,实现了 96.0%(含辅助电源)的峰值效率。

特性
  • 500kHz 谐振频率
  • 标称 390V 至 12V/500W 转换
  • 输入电压为 390V 时,效率为 96.0%(包含辅助电源)
  • 功率级 X Y 尺寸:1.9" x 3"
输出电压选项 PMP21842.1
Vin (Min) (V) 380
Vin (Max) (V) 400
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 42
Output Power (W) 504
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Full Bridge- Resonant
工业
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

Important note
此参考设计可替代现已过时的 PMP20289。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDT088.PDF (3543 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRYZ1.ZIP (254 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRYZ2.ZIP (153 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRYZ3.PDF (119 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRYZ5.ZIP (584 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCFA4.ZIP (1731 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRYZ4.PDF (714 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

N 沟道 MOSFET

CSD18510Q5B采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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SR 和负载共享控制器

UCD7138具有体二极管导通感应功能的低侧栅极功率 MOSFET 驱动器

数据表: PDF | HTML
数字电源隔离式控制器

UCD3138AUCD3138A 用于隔离电源的高度集成数字控制器

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模拟温度传感器

LM20±1.5°C 模拟输出温度传感器

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氮化镓 (GaN) IC

LMG3410R070具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN

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氮化镓 (GaN) IC

LMG3411R050具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN

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氮化镓 (GaN) IC

LMG3411R070具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

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精密运算放大器 (Vos<1mV)

OPA376精密 (0.025mV)、低噪声 (7.5nV/rtHz)、低静态电流 (760uA) 运算放大器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

LP3985具有旁路和使能功能的 150mA、低压降稳压器

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技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
* 测试报告 12-V/500-W resonant converter reference design with HV GaN FET 2019年 2月 4日

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