封装信息
| 封装 | 引脚 TSSOP (PW) | 16 |
| 工作温度范围 (°C) -55 to 125 |
| 包装数量 | 包装 90 | TUBE |
SN65C1168E-SEP 的特性
- VID V62/19606
- 耐辐射
- 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg
- 在 30krad(Si) 的条件下无 ELDRS
- 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 20krad(Si)
- 增强型航天塑料
- 受控基线
- 金线
- NiPdAu 铅涂层
- 一个组装和测试基地
- 一个制造基地
- 支持军用（–55°C 至 125°C）温度范围
- 延长了产品生命周期
- 延长了产品变更通知
- 产品可追溯性
- 采用增强型模塑化合物实现低释气
- 达到或超出 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求
- 由一个 5V 电源供电
- 为 RS-422 总线引脚提供 ESD 保护
- ±12kV 人体放电模型 (HBM)
- ±8kV IEC 61000-4-2，接触放电
- ±8kV IEC 61000-4-2，空气间隙放电
- 低脉冲偏斜
- 接收器输入阻抗 ... 17kΩ（典型值）
- 接收器输入灵敏度 ...±200mV
-7V 至 7V 的接收器共模输入电压范围- 无干扰上电/断电保护
SN65C1168E-SEP 的说明
SN65C1168E-SEP 包含双驱动器和双接收器，具有 ±12kV ESD (HBM) 和 ±8kV ESD（IEC61000-4-2 空气间隙放电和接触放电），适用于 RS-422 总线引脚。此器件符合 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求。经过 20krad(Si) TID 接触之后，有些参数不符合所有的 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 要求。
SN65C1168E-SEP 驱动器具有单独的高电平有效使能端。