产品详情

Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 24 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 2.3 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, I2C, MDIO, SDIO, SMBus, UART Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Prop delay (ns) 4.4 Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.025 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 24 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 2.3 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, I2C, MDIO, SDIO, SMBus, UART Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Prop delay (ns) 4.4 Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.025 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
X2SON (DQE) 8 1.4 mm² (1.4 mm × 1 mm) SSOP (DCT) 8 11.8 mm² (2.95 mm × 4 mm) X2SON (DQM) 8 2.16 mm² (1.8 mm × 1.2 mm) VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² (2 mm × 3.1 mm) DSBGA (YZP) 8 2.8125 mm² (— mm × — mm) X1QFN (DTT) 8 1.95 mm² (1.95 mm × 1 mm)
  • 无需方向控制信号
  • 最大数据速率:
    • 24Mbps(推挽)
    • 2Mbps(开漏)
  • 采用德州仪器 (TI) 的 NanoStar™ 集成电路封装
  • A 端口支持 1.65V 至 3.6V 的电压,B 端口支持 2.3V 至 5.5V 的电压 (VCCA ≤ VCCB)
  • VCC 隔离特性:如果任何一个 VCC 输入接地 (GND),则两个端口均处于高阻抗状态
  • 无需电源时序控制:VCCA 或 VCCB 均可优先斜升
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求:
    • A 端口:
      • 2500V 人体放电模型 (A114-B)
      • 250V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)
    • B 端口:
      • 8kV 人体放电模型 (A114-B)
      • 250V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)
  • 无需方向控制信号
  • 最大数据速率:
    • 24Mbps(推挽)
    • 2Mbps(开漏)
  • 采用德州仪器 (TI) 的 NanoStar™ 集成电路封装
  • A 端口支持 1.65V 至 3.6V 的电压,B 端口支持 2.3V 至 5.5V 的电压 (VCCA ≤ VCCB)
  • VCC 隔离特性:如果任何一个 VCC 输入接地 (GND),则两个端口均处于高阻抗状态
  • 无需电源时序控制:VCCA 或 VCCB 均可优先斜升
  • Ioff 支持局部断电模式运行
  • 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范的要求
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求:
    • A 端口:
      • 2500V 人体放电模型 (A114-B)
      • 250V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)
    • B 端口:
      • 8kV 人体放电模型 (A114-B)
      • 250V 机器放电模型 (A115-A)
      • 1500V 充电器件模型 (C101)

此两位同相转换器是一个双向电压电平转换器,可用来在混合电压系统之间建立数字开关兼容性。它使用两个独立的可配置电源轨,其中 A 端口支持 1.65V 至 3.6V 工作电压范围,同时可跟踪 VCCA 电源,而 B 端口支持 2.3V 至 5.5V 工作电压范围,同时可跟踪 VCCB 电源。因此,该器件能够支持较低和较高的逻辑信号电平,同时能够在任何 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 电压节点之间提供双向转换。

当输出使能端 (OE) 输入为低电平时,所有 I/O 均处于高阻抗状态,从而显著减少了电源静态电流消耗。

要在上电或断电期间将器件置于高阻抗状态,应通过一个下拉电阻器将 OE 连接至 GND;该电阻器的最小值由驱动器的电流灌入能力决定。

此两位同相转换器是一个双向电压电平转换器,可用来在混合电压系统之间建立数字开关兼容性。它使用两个独立的可配置电源轨,其中 A 端口支持 1.65V 至 3.6V 工作电压范围,同时可跟踪 VCCA 电源,而 B 端口支持 2.3V 至 5.5V 工作电压范围,同时可跟踪 VCCB 电源。因此,该器件能够支持较低和较高的逻辑信号电平,同时能够在任何 1.8V、2.5V、3.3V 和 5V 电压节点之间提供双向转换。

当输出使能端 (OE) 输入为低电平时,所有 I/O 均处于高阻抗状态,从而显著减少了电源静态电流消耗。

要在上电或断电期间将器件置于高阻抗状态,应通过一个下拉电阻器将 OE 连接至 GND;该电阻器的最小值由驱动器的电流灌入能力决定。

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应用手册 Factors Affecting VOL for TXS and LSF Auto-bidirectional Translation Devices 2017-11-19
应用手册 Biasing Requirements for TXS, TXB, and LSF Auto-Bidirectional Translators 2017-10-30
应用手册 A Guide to Voltage Translation With TXS-Type Translators 2010-6-29

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引脚 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封装的通用逻辑评估模块

灵活的 EVM 设计用于支持具有 5 至 8 引脚数且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封装的任何器件。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
评估板

TXS-EVM — 适用于单通道、双通道、四通道和八通道器件的转换器系列评估模块

TXS-EVM 设计用于支持单通道、双通道、四通道和八通道 TXS 器件。TXS 器件属于自动双向电压电平转换系列,工作电压范围为 1.2V 至 5.5V,设计用于支持各个扇区中的各种通用电压电平转换应用。

用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

TXS0102 IBIS Model (Rev. B)

SCEM542B.ZIP (96 KB) - IBIS 模型
支持的产品和硬件

许多 TI 参考设计都包括 TXS0102

通过我们的参考设计选择工具来审查并确定最适用于您应用和参数的设计。

封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
X2SON (DQE) 8 Ultra Librarian
SSOP (DCT) 8 Ultra Librarian
X2SON (DQM) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian
DSBGA (YZP) 8 Ultra Librarian
X1QFN (DTT) 8 Ultra Librarian

订购和质量

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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