TPS799

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具有低噪声和使能功能的 200mA、低 IQ、低压降稳压器

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Rating Catalog Vin (max) (V) 6.5 Vin (min) (V) 2.7 Iout (max) (A) 0.2 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 6.5 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.25, 1.3, 1.5, 1.8, 1.85, 1.9, 1.95, 2, 2.1, 2.5, 2.6, 2.7, 2.75, 2.8, 2.85, 3, 3.1, 3.15, 3.2, 3.3, 4.2, 4.5, 5 Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 38 Iq (typ) (mA) 0.04 Features Enable Thermal resistance θJA (°C/W) 74 Load capacitance (min) (µF) 2 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Vin (max) (V) 6.5 Vin (min) (V) 2.7 Iout (max) (A) 0.2 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 6.5 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.25, 1.3, 1.5, 1.8, 1.85, 1.9, 1.95, 2, 2.1, 2.5, 2.6, 2.7, 2.75, 2.8, 2.85, 3, 3.1, 3.15, 3.2, 3.3, 4.2, 4.5, 5 Noise (µVrms) 30 PSRR at 100 KHz (dB) 38 Iq (typ) (mA) 0.04 Features Enable Thermal resistance θJA (°C/W) 74 Load capacitance (min) (µF) 2 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 100 Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-23-THN (DDC) 5 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm) DSBGA (YZU) 5 2.02 mm² (— mm × — mm) WSON (DRV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • 带有使能 (EN) 引脚的 200mA 低压降稳压器
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 1.2 V 至 4.5 V 固定输出
    • 1.20 V 至 6.5 V 可调节输出
  • 带有 EN 切换的涌入电流保护
  • 低 IQ:40µA
  • 高 PSRR:
    • 1kHz 时为 66dB
    • 10kHz 时为 51dB
  • 与一个低 ESR、2µF(典型值)输出电容一同工作时保持稳定
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 整体精度(负载、线路和温度)为 2%
  • 超低压降:100mV
  • 封装:
    • 5 凸点,薄型,0.97mm × 1.34mm DSBGA
    • 5 引脚 SOT-23-THIN
    • 6 引脚 WSON
  • 带有使能 (EN) 引脚的 200mA 低压降稳压器
  • 提供了多个输出电压版本:
    • 1.2 V 至 4.5 V 固定输出
    • 1.20 V 至 6.5 V 可调节输出
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    • 1kHz 时为 66dB
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  • 与一个低 ESR、2µF(典型值)输出电容一同工作时保持稳定
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 整体精度(负载、线路和温度)为 2%
  • 超低压降:100mV
  • 封装:
    • 5 凸点,薄型,0.97mm × 1.34mm DSBGA
    • 5 引脚 SOT-23-THIN
    • 6 引脚 WSON

TPS799 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。仅消耗 40µA(典型值)接地电流,同时具备高电源抑制比 (PSRR),低噪声,快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应特性。

TPS799 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺,能够在输出 200mA 电流时产生 100mV 的典型压降。TPS799 使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总精度。当 EN 切换被用于启动此器件时,TPS799 特有涌入电流保护功能可立即钳制电流。

该器件的额定工作温度范围为 TJ = -40°C 至 +125°C,采用扁平裸片尺寸球栅阵列 (DSBGA) 封装,因此适用于无线手持终端和 WLAN 卡。该器件还采用 5 引脚 SOT-23-THIN 和 6 引脚 WSON 封装。

TPS799 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。仅消耗 40µA(典型值)接地电流,同时具备高电源抑制比 (PSRR),低噪声,快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应特性。

TPS799 与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定,并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺,能够在输出 200mA 电流时产生 100mV 的典型压降。TPS799 使用精密电压基准和反馈环路,可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总精度。当 EN 切换被用于启动此器件时,TPS799 特有涌入电流保护功能可立即钳制电流。

该器件的额定工作温度范围为 TJ = -40°C 至 +125°C,采用扁平裸片尺寸球栅阵列 (DSBGA) 封装,因此适用于无线手持终端和 WLAN 卡。该器件还采用 5 引脚 SOT-23-THIN 和 6 引脚 WSON 封装。

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技术文章 LDO basics: dropout PDF | HTML 2017-3-16
应用手册 Understanding LDO Dropout 2005-5-9

设计与开发

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评估板

TPS799XXEVM-105 — TPS799xx 评估模块

The TPS799xx evaluation module (EVM)is designed to help the user easily evaluate and test the operation and functionality of the TPS799xx LDO. The EVM uses 3 versions of the TPS799xx LDO (TPS79901YZU (adjustable, WCSP), TPS79928YZU (2.8 V output, WCSP) and TPS79901DDC (adjustable, SOT23). (...)

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23-THN (DDC) 5 Ultra Librarian
DSBGA (YZU) 5 Ultra Librarian
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