TPS732-Q1
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
- 温度等级 0：–40°C 至 150°C，TA
- 器件 HBM 分类等级 2
- 器件 CDM 分类等级 C4B
- 器件 MM 分类等级 M2
- 不借助输出电容器或者任何电容值或类型的电容器即可实现稳定
- 输入电压范围：1.7V 至 5.5V
- 超低压降电压：250mA 时典型值为 40mV
- 无论是否使用可选输出电容器，均可实现出色的负载瞬态响应
- NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
- 低噪声：30µVRMS 典型值（10kHz 至 100kHz）
- 初始精度：0.5%
- 总体精度（包括线路、负载和温度精度）为 1%
- 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
- 热关断和指定最小和最大电流限制保护
- 提供了多个输出电压版本：
- 1.2V、1.5V、1.6V、1.8V、2.5V、3V、3.3V 和 5V 的固定输出电压
- 1.2V 至 5.5V 可调节输出
- 可提供定制输出
TPS732-Q1 低压降 (LDO) 稳压器采用 NMOS 拓扑，其中在电压跟随器配置包含一个 NMOS 导通瞬态。这个拓扑结构在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定，甚至可实现无电容器运行。该拓扑还提供高反向阻断（低反向电流）和接地引脚电流，该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。
TPS732-Q1 使用一个先进的双极互补金属氧化物半导体 (BiCMOS) 工艺来在传送低压降电压和低接地引脚电流的同时产生高精度。未启用时，电流消耗低于 1µA，非常适合于便携式应用。极低的输出噪声（0.1µF CNR 时为 30µVRMS）使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 7
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | TPS732-Q1 具有反向电流保护功能的汽车级无电容、 NMOS、250mA 低压降稳压器 数据表 (Rev. H) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.H) | PDF | HTML | 2025-9-16 |
| 功能安全信息 | TPS732-Q1 Functional Safety FIT Rate, FMD and Pin FMA (Rev. A) | PDF | HTML | 2024-12-10 | |||
| 应用手册 | LDO 噪声揭秘 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020-9-16 | |
| 应用手册 | Using Thermal Calculation Tools for Analog Components (Rev. A) | 2019-8-30 | ||||
| 应用手册 | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017-8-9 | |||
| 用户指南 | DEM-SOT223LDO Demonstration Fixture | 2003-10-15 | ||||
| 更多文献资料 | DMOS Delivers Dramatic Performance Gains to LDO Regulators (EDN mag) | 2001-2-14 |
设计与开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
DEM-SOT23LDO — 采用 5 条或 6 条引线 SOT23 (DBV) 封装与大多数正输出 LDO 稳压器兼容的 DEM-SOT23LDO
评估板
TPS73201DRBEVM-518 — TPS73201DRBEVM-518 评估模块
TPS73201DRBEVM-518 评估模块是一块完全组装且经过测试的电路板，用于对采用 DRB (3x3mm SON) 封装的 TPS73201 低压降 (LDO) 稳压器进行评估。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-223 (DCQ) | 6 | Ultra Librarian |
| VSON (DRB) | 8 | Ultra Librarian |
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。