TPS731
- 无论使用哪种电容或不使用电容，均能稳定工作
- 输入电压范围为 1.7V 至 5.5V
- 超低压降电压：30mV 典型值（150mA 负载）
- 无论是否使用可选输出电容器，均可实现出色的负载瞬态响应
- 新的 NMOS 拓扑结构实现了低反向泄漏电流
- 低噪声：30µVRMS 典型值（10kHz 至 100kHz）
- 初始精度为 0.5%
- 整个线路、负载和温度范围内的精度达 1%
- 关断模式下 IQ 最大值小于 1µA
- 具备热关断及限定最小和最大电流的保护功能
- 提供了多个输出电压版本：
- 固定输出：1.20V 至 5V
- 可调输出：1.2V 至 5.5V
- 可提供定制输出
TPS731 低压降 (LDO) 线性稳压器采用电压跟随器结构，并使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑在使用具有低等效串联电阻 (ESR) 的输出电容器时保持稳定，甚至可实现无电容器运行。此器件还提供高反向阻断（低反向电流）和接地引脚电流，该电流在所有输出电流上几乎保持恒定。
TPS731 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。未启用时，电流消耗小于 1µA，适用于便携式应用。极低的输出噪声（0.1µF CNR 时为 30µVRMS）使得此器件非常适合为 VCO 供电。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。
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技术文档
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
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| * | 数据表 | TPS731 具有反向电流保护功能的无电容 NMOS 150mA 低压降稳压器 | PDF | HTML | PDF | HTML | 2026-4-14 | |
| * | 辐射与可靠性报告 | TPS73133MDBVREP Reliability Report | 2011-8-26 | |||
| * | 辐射与可靠性报告 | TPS73125MDBVREP Reliability Report | 2011-8-26 | |||
| 应用手册 | LDO 噪声揭秘 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2020-9-16 | |
| 应用手册 | A Topical Index of TI LDO Application Notes (Rev. F) | 2019-6-27 | ||||
| 选择指南 | Low Dropout Regulators Quick Reference Guide (Rev. P) | 2018-3-21 | ||||
| 应用手册 | LDO PSRR Measurement Simplified (Rev. A) | PDF | HTML | 2017-8-9 | |||
| 更多文献资料 | DMOS Delivers Dramatic Performance Gains to LDO Regulators (EDN mag) | 2001-2-14 |
设计与开发
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
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