数据表
SN74CBT3383C
- 针对 A 端口和 B 端口上的断开隔离提供高达 −2V 的下冲保护
- 具有接近零传播延迟的双向数据流
- 低导通状态电阻 (ron) 特性（ron 典型值 = 3Ω）
- 低输入和输出电容可更大程度减小负载和信号失真（Cio(OFF) 典型值 = 8pF）
- 数据与控制输入提供下冲钳位二极管
- 低功耗（ICC 最大值为 3µA）
- VCC 工作范围为 4V 至 5.5V，数据 I/O 支持 0 至 5V 的信号电平（0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V 和 5V）
- 控制输入可由 TTL 或 5V/3.3V CMOS 输出驱动
- Ioff 支持局部关断模式运行
- 闩锁性能超过 100mA，符合 JESD 78 II 类规范
- ESD 性能测试符合 JESD 22− 2000V 人体放电模型（A114-B，II 类）− 1000V 充电器件模型 (C101) 标准
- 支持数字和模拟应用：PCI 接口、内存交错、总线隔离、低失真信号门控
SN74CBT3383C 是一种具备低导通状态电阻 (ron) 的高速 TTL 兼容型 FET 总线交换开关，可实现超短传播延迟。 SN74CBT3383C A 端口和 B 端口上的有源下冲保护电路可检测下冲事件并确保开关保持正常断开状态，从而对高达 −2V 的下冲事件提供保护。
SN74CBT3383C 可配置为 10 位总线开关，或具有单路输出使能 (be) 输入的 5 位总线交换开关，可在四个信号端口之间提供数据交换。选择 (BX) 输入可控制总线交换开关的数据路径。当 BE 为低电平时，A 端口连接到 B 端口，从而实现端口之间的双向数据流。当 BE 为高电平时，A 和 B 端口之间为高阻抗状态。
该器件完全符合使用 Ioff 的部分断电应用的规范要求。Ioff 特性确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可在关断时提供隔离。
为确保上电或断电期间的高阻抗状态，应通过一个上拉电阻器将 BE 连接至 VCC；该电阻器的最小阻值由驱动器的电流吸收能力来决定。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 4
| 顶层文档 | 类型 | 标题 | 格式选项 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | SN74CBT3383C 10 位 FET 总线交换开关具有 −2V 下冲保护的 5V 总线开关 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022-12-6 |
| 应用手册 | 选择正确的德州仪器 (TI) 信号开关 (Rev. E) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2022-8-5 | |
| 应用手册 | 多路复用器和信号开关词汇表 (Rev. B) | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022-3-11 | ||
| 应用简报 | 利用关断保护信号开关消除电源时序 (Rev. C) | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2021-10-21 |
设计与开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
接口适配器
LEADED-ADAPTER1 — 表面贴装转 DIP 接头适配器，用于快速测试 TI 的 5、8、10、16 和 24 引脚引线式封装。
EVM-LEADED1 电路板可用于对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。 该电路板具有足够的空间，可将 TI 的 D、DBQ、DCT、DCU、DDF、DGS、DGV 和 PW 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。
用户指南:
PDF
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SSOP (DBQ) | 24 | Ultra Librarian |
| TSSOP (PW) | 24 | Ultra Librarian |
| SOIC (DW) | 24 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。