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DRV7163

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100V 35A 半桥 GaN 电机驱动器功率级

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Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 50 RDS(ON) (HS + LS) (Ω) 0.045 VDS (max) (V) 120 Features Integrated GaN FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 50 RDS(ON) (HS + LS) (Ω) 0.045 VDS (max) (V) 120 Features Integrated GaN FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
VQFN-FCRLF (RAR) 17 24.75 mm² (5.5 mm × 4.5 mm)
  • 具有集成驱动器、支持 48V 系统的 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级
  • 低 GaN 导通状态电阻
    • TA=25°C 时，RDS(ON) 为 4.4mΩ（每个 FET）
  • 实现高效、高密度的功率转换
    • 高输出电流能力：35Arms
    • 支持高达 500kHz 的 PWM 开关频率
    • 超低传播延迟（典型值 20ns）和失配（典型值 2ns）
    • GaN FET 的可配置压摆率
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告。
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
  • 5V 外部辅助电源
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 强大的保护
    • 独立输入模式 (IIM) 下的互锁保护
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热。
  • 具有集成驱动器、支持 48V 系统的 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级
  • 低 GaN 导通状态电阻
    • TA=25°C 时，RDS(ON) 为 4.4mΩ（每个 FET）
  • 实现高效、高密度的功率转换
    • 高输出电流能力：35Arms
    • 支持高达 500kHz 的 PWM 开关频率
    • 超低传播延迟（典型值 20ns）和失配（典型值 2ns）
    • GaN FET 的可配置压摆率
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告。
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
  • 5V 外部辅助电源
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 强大的保护
    • 独立输入模式 (IIM) 下的互锁保护
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热。

DRV7163A 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。

DRV7163A 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。
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* 数据表 DRV7163A 100V、35A 半桥 GaN 电机驱动器功率级 PDF | HTML PDF | HTML 2026-7-27
应用简报 类人机器人中的电机控制 PDF | HTML PDF | HTML 2026-6-22

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DRV8376EVM — DRV8376 评估模块

DRV8376EVM 是一款用于三相电机驱动器应用的集成驱动器 IC 评估模块，可为客户提供驱动 4.5V 至 65V 无刷直流电机的单芯片功率级设计。除 DRV8376 的硬件外，基于 TMS320F280049C 微控制器的电路板还具有可向 DRV8376 发送必要信号以旋转三相无刷直流电机的参考软件。GUI Composer 软件允许用户对设置进行编程，使电机能够旋转，并监控系统是否存在故障情况。
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