드라이버 또는 라이브러리
UCC21520-Q1-DESIGN — UCC21520-Q1 design resources
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
UCC21530-Q1
- AEC-Q100 qualified with:
- Device temperature grade 1
- Functional Safety Quality-Managed
- Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
- Wide body SOIC-14 (DWK) package
- 3.3mm spacing between driver channels
- Switching parameters:
- 33ns typical propagation delay
- 20ns minimum pulse width
- 6ns maximum pulse-width distortion
- Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
- 4A peak source, 6A peak sink output
- TTL and CMOS compatible inputs
- 3V to 18V input VCCI range
- Up to 25V VDD output drive supply
- 8V,12V and 17V VDD UVLO options
- Programmable overlap and dead time
- Junction temperature range –40 to +150°C
The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.
The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.
This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.
The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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기술 자료
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|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | UCC21530-Q1 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/09/17 |
| Certificate | VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. Y) | 2025/09/22 | ||
| Certificate | UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) | 2025/09/08 | ||
| White paper | 신뢰할 수 있는 합리적 가격대의 절연 기술 개발과 관련한 고전압 설계 문제의 해결 (Rev. C) | PDF | HTML | 2024/05/16 | |
| Application note | Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) | PDF | HTML | 2024/01/25 | |
| Certificate | UCC21540 CQC Certificate of Product Certification | 2023/08/17 | ||
| Certificate | UCC215xx CQC Certificate of Product Certification | 2023/08/17 | ||
| Application brief | The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits | PDF | HTML | 2021/12/16 | |
| Certificate | CSA Product Certificate (Rev. A) | 2019/08/15 | ||
| Technical article | Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC | PDF | HTML | 2019/02/09 |
설계 및 개발
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평가 보드
UCC21530EVM-286 — UCC21530 절연 듀얼 채널 드라이버 평가 모듈
UCC21530EVM-286은 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류, 12V UVLO, 활성화(액티브 하이) 기능과 채널 간 3.3mm 연면을 지원하는 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버인 UCC21530DWK를 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 전력 시스템에서 IGBT 및 SiC MOSFET을 구동하기 위한 레퍼런스 디자인으로 사용할 수 있습니다.
드라이버 또는 라이브러리
UCC21530-Q1-DESIGN — UCC21530-Q1 design resources
FS documents
지원되는 제품 및 하드웨어
회로도
Application Guide: Dual-Channel Schematic and Layout Design Guidelines (Rev. A)
SZZM003A.ZIP (1317 KB)
시뮬레이션 툴
PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®
TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.
TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
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레퍼런스 디자인
TIDM-02002 — HEV/EV 온보드 충전기용 양방향 CLLLC 공진 듀얼 활성 브리지(DAB) 레퍼런스 설계
양방향 전력 흐름 기능과 소프트 스위칭 특성을 갖춘 CLLLC 공진 DAB는 HEV/EV(하이브리드 전기차/전기차) 온 보드 충전기와 에너지 저장 애플리케이션에 이상적입니다. 이 설계는 폐쇄형 전압 및 폐쇄형 전류 루프 모드에서 C2000™ MCU를 사용하여 이 전원 토폴로지를 제어하는 방법을 보여줍니다. 이 설계와 함께 사용할 수 있는 하드웨어 및 소프트웨어를 활용하여 시장 출시 시기를
앞당길 수 있습니다.
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레퍼런스 디자인
TIDM-02012 — MathWorks®를 사용한 고전압 HEV/EV HVAC eCompressor 모터 제어 레퍼런스 설계
TIDM-02012는 중간 성능 C2000™ TMS320F28003x 실시간 MCU로 제어되는 HEV/EV 콤프레서(eCompressor) 애플리케이션을 위해 구축된 고전압, 5kW 레퍼런스 설계입니다. 400V 및 800V DC 버스 모두로 평가하도록 설계되었으며, 더 높은 배터리 전압의 시장 트렌드를 지원합니다. controlCARD 기반 설계는 사용자가 여러 MCU 및 게이트 드라이버 옵션을 평가할 수 있으며, 증가하는 사이버 보안, 기능 안전 및 기타 자동차 시장 요구 사항을 충족하기 위한 향후 로드맵 장치를 비롯한 (...)
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인
TIDM-02009 — ASIL D 안전 개념 평가 고속 트랙션, 양방향 DC/DC 변환 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 단일 TMS320F28388D 실시간 C2000™ MCU를 통해 HEV/EV 트랙션 인버터 및 양방향 DC-DC 컨버터를 제어하는 방법을 보여줍니다. 트랙션 컨트롤은 소프트웨어 기반의 리졸버-디지털 컨버터(RDC)를 사용하여 모터를 최대 20,000RPM의 고속으로 구동합니다. DC-DC 컨버터는 위상 전환 풀 브리지(PSFB) 토폴로지 및 동기 정류(SR) 스키마와 함께 PCMC(피크 전류 모드 제어) 기술을 사용합니다. 트랙션 인버터 스테이지는 UCC5870-Q1 스마트 게이트 드라이버로 구동되는 (...)
레퍼런스 디자인
TIDA-01605 — 2레벨 끄기 보호 기능을 갖춘 차량용 듀얼 채널 SiC MOSFET 게이트 드라이버 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 SiC(실리콘 카바이드) MOSFET을 하프 브리지 구성으로 구동하기 위한 차량용 등급 절연 게이트 드라이버 솔루션입니다. 이 설계에는 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버에 각각 2개의 푸시 풀 바이어스 전원 공급 장치가 포함되어 있으며, 각 공급 장치는 +15V 및 -4V 출력 전압과 1W 출력 전력을 제공합니다. 게이트 드라이버는 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류를 공급할 수 있습니다. 강화 절연을 구현하며, 8kV 피크 및 5.7kV RMS 절연 전압 및 100V/ns를 초과하는 공통 모드 과도 (...)
레퍼런스 디자인
PMP21999 — PCB 권선 변압기를 사용하는 6.6kW 양방향 CLLLC 공진 컨버터 레퍼런스 설계
이 6.6kW, 양방향, 듀얼 액티브 브리지 공진 컨버터 레퍼런스 설계는 380VDC~600VDC 입력과 280VDC~450VDC 출력을 지원합니다. 이 설계에는 전력 밀도 및 효율 최적화를 위해 PCB 권선 변압기 및 Rogowski 코일 동기식 정류기(SR) 제어가 적용됩니다. C2000™ 컨트롤러(TMDSCNCD280049C), SiC 드라이버(PMP22001 및 PMP22002) 및 바이어스 전원 공급(PMP22003)을 비롯한 도터카드 접근 방식 이 설계에 구현되었습니다. 500KHz 공진 주파수와 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| SOIC (DWK) | 14 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.