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UCC21530-Q1

활성

Automotive Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ enable, programable dead time

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UCC21551-Q1 활성 Automotive Reinforced, 4A/6A dual-channel isolated gate driver w/ enable, programable dead time Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530-Q1

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제품 상세 정보

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 8, 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm)
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • AEC-Q100 qualified with:
    • Device temperature grade 1
  • Functional Safety Quality-Managed
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
    • 8V,12V and 17V VDD UVLO options
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530-Q1 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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* 데이터 시트 UCC21530-Q1 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. F) PDF | HTML 2024. 9. 17
인증서 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. AB) 2026. 7. 15
백서 신뢰할 수 있는 합리적 가격대의 절 연 기술 개발과 관련한 고전압 설계 문제의 해결 PDF | HTML 2026. 5. 28
인증서 UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. D) 2025. 9. 8
애플리케이션 노트 Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 2024. 1. 25
인증서 UCC21540 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023. 8. 17
인증서 UCC215xx CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023. 8. 17
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021. 12. 16
인증서 CSA Product Certificate (Rev. A) 2019. 8. 15
기술 문서 Searching for the newest innovations in power? Find them at APEC PDF | HTML 2019. 2. 9

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC21530EVM-286 — UCC21530 절연 듀얼 채널 드라이버 평가 모듈

UCC21530EVM-286은 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류, 12V UVLO, 활성화(액티브 하이) 기능과 채널 간 3.3mm 연면을 지원하는 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버인 UCC21530DWK를 평가하도록 설계되었습니다. 이 EVM은 전력 시스템에서 IGBT 및 SiC MOSFET을 구동하기 위한 레퍼런스 디자인으로 사용할 수 있습니다.
사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice 모델
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP21553 — 안전 절연 1차 SiC MOSFET 드라이버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 두 개의 푸시풀 SN6505B 변압기 드라이버 및 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 UCC21521C를 통합하는 차량용 배터리 충전 시스템을 위한 통합된 고압 및 저압측 절연 1차 게이트 드라이버 솔루션을 제공합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP21561 — 안전 절연 2차 SiC MOSFET 드라이버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 두 개의 푸시풀 SN6505B 변압기 드라이버 및 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 UCC21521C를 통합하는 차량용 배터리 충전 시스템을 위한 통합된 고압 및 저압측 절연 2차 게이트 드라이버 솔루션을 제공합니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

PMP21999 — PCB 권선 변압기를 사용하는 6.6kW 양방향 CLLLC 공진 컨버터 레퍼런스 설계

이 6.6kW, 양방향, 듀얼 액티브 브리지 공진 컨버터 레퍼런스 설계는 380VDC~600VDC 입력과 280VDC~450VDC 출력을 지원합니다. 이 설계에는 전력 밀도 및 효율 최적화를 위해 PCB 권선 변압기 및 Rogowski 코일 동기식 정류기(SR) 제어가 적용됩니다. C2000™ 컨트롤러(TMDSCNCD280049C), SiC 드라이버(PMP22001 및 PMP22002) 및 바이어스 전원 공급(PMP22003)을 비롯한 도터카드 접근 방식 이 설계에 구현되었습니다. 500KHz 공진 주파수와 (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDA-01605 — 2레벨 끄기 보호 기능을 갖춘 차량용 듀얼 채널 SiC MOSFET 게이트 드라이버 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 SiC(실리콘 카바이드) MOSFET을 하프 브리지 구성으로 구동하기 위한 차량용 등급 절연 게이트 드라이버 솔루션입니다. 이 설계에는 듀얼 채널 절연 게이트 드라이버에 각각 2개의 푸시 풀 바이어스 전원 공급 장치가 포함되어 있으며, 각 공급 장치는 +15V 및 -4V 출력 전압과 1W 출력 전력을 제공합니다. 게이트 드라이버는 4A 소스 및 6A 싱크 피크 전류를 공급할 수 있습니다. 강화 절연을 구현하며, 8kV 피크 및 5.7kV RMS 절연 전압 및 100V/ns를 초과하는 공통 모드 과도 (...)
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDM-02002 — HEV/EV 온보드 충전기용 양방향 CLLLC 공진 듀얼 활성 브리지(DAB) 레퍼런스 설계

양방향 전력 흐름 기능과 소프트 스위칭 특성을 갖춘 CLLLC 공진 DAB는 HEV/EV(하이브리드 전기차/전기차) 온 보드 충전기와 에너지 저장 애플리케이션에 이상적입니다. 이 설계는 폐쇄형 전압 및 폐쇄형 전류 루프 모드에서 C2000™ MCU를 사용하여 이 전원 토폴로지를 제어하는 방법을 보여줍니다. 이 설계와 함께 사용할 수 있는 하드웨어 및 소프트웨어를 활용하여 시장 출시 시기를
앞당길 수 있습니다.
지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDM-02009 — ASIL D 안전 개념 평가 고속 트랙션, 양방향 DC/DC 변환 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 단일 TMS320F28388D 실시간 C2000™ MCU를 통해 HEV/EV 트랙션 인버터 및 양방향 DC-DC 컨버터를 제어하는 방법을 보여줍니다. 트랙션 컨트롤은 소프트웨어 기반의 리졸버-디지털 컨버터(RDC)를 사용하여 모터를 최대 20,000RPM의 고속으로 구동합니다. DC-DC 컨버터는 위상 전환 풀 브리지(PSFB) 토폴로지 및 동기 정류(SR) 스키마와 함께 PCMC(피크 전류 모드 제어) 기술을 사용합니다. 트랙션 인버터 스테이지는 UCC5870-Q1 스마트 게이트 드라이버로 구동되는 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
레퍼런스 디자인

TIDM-02012 — MathWorks®를 사용한 고전압 HEV/EV HVAC eCompressor 모터 제어 레퍼런스 설계

TIDM-02012는 중간 성능 C2000™ TMS320F28003x 실시간 MCU로 제어되는 HEV/EV 콤프레서(eCompressor) 애플리케이션을 위해 구축된 고전압, 5kW 레퍼런스 설계입니다. 400V 및 800V DC 버스 모두로 평가하도록 설계되었으며, 더 높은 배터리 전압의 시장 트렌드를 지원합니다.  controlCARD 기반 설계는 사용자가 여러 MCU 및 게이트 드라이버 옵션을 평가할 수 있으며, 증가하는 사이버 보안, 기능 안전 및 기타 자동차 시장 요구 사항을 충족하기 위한 향후 로드맵 장치를 비롯한 (...)

지원되는 제품 및 하드웨어
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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