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비교 대상 장치보다 업그레이드된 기능을 지원하는 즉각적 대체품.
TPSI2140-Q1
- Qualified for automotive
applications
- AEC-Q100 grade 1: –40 to 125°C T A
- Integrated avalanche rated MOSFETs
- Designed and qualified
for reliability during overvoltage conditions, including system level
dielectric withstand testing (Hi-Pot)
- I AVA = 2-mA for 5-s pulses, 1-mA for 60-s pulses
- 1200-V standoff voltage
- R ON = 130-Ω (T J = 25°C)
- T ON, T OFF < 700-µs
- Designed and qualified
for reliability during overvoltage conditions, including system level
dielectric withstand testing (Hi-Pot)
- Low primary side supply current
- 9-mA ON state current
- 3.5-µA OFF state current
-
Functional Safety Capable
- Documentation available to aid in ISO 26262 and IEC 61508 system design
- Robust isolation barrier:
- > 26 year projected lifetime at 1000-V RMS / 1500-V DC working voltage
- Isolation rating, V ISO, up to 3750-V RMS / 5300-V DC
- Peak surge, V IOSM, up to 5000-V
- ± 100-V/ns typical CMTI
- SOIC 11-pin (DWQ) package with wide pins for
improved thermal performance
- Creepage and clearance ≥ 8-mm (primary-secondary)
- Creepage and clearance ≥ 6-mm (across switch terminals)
- Safety-related certifications
- (Planned) DIN VDE V 0884-11:2017-01
- (Planned) UL 1577 component recognition program
The TPSI2140-Q1 is an isolated solid state relay designed for high voltage automotive and industrial applications. The TPSI2140-Q1 uses TI’s high reliability capacitive isolation technology in combination with internal back-to-back MOSFETs to form a completely integrated solution requiring no secondary side power supply.
The primary side of the device is powered by only 9 mA of input current and incorporates a fail-safe EN pin preventing any possibility of back powering the VDD supply. In most applications, the VDD pin of the device should be connected to a system supply between 5 V–20 V and the EN pin of the device should be driven by a GPIO output with logic HI between 2.1 V–20 V. In other applications, The VDD and EN pins could be driven together directly from the system supply or from a GPIO output. All control configurations of the TPSI2140-Q1 do not require additional external components such as a resistor and/or low side switch that are typically required in photo relay solutions.
The secondary side consists of back-to-back MOSFETs with a standoff voltage of ±1.2 kV from S1 to S2. The TPSI2140-Q1 MOSFET’s avalanche robustness and thermally conscious package design allow it to robustly support system level dielectric withstand testing (HiPot) and DC fast charger surge currents of up to 2 mA without requiring any external components.
기술 자료
설계 및 개발
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주문 및 품질
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.