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TPS7H2221-SEP

활성

방사선 내성, 1.6V ~ 5.5V 입력, 1.25A 부하 스위치

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TPS7H2221-SEP

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제품 상세 정보

Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
Imax (A) 1.25 Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 1.6 Number of channels 1 Features Inrush current control, Quick output discharge, Short circuit protection, Thermal shutdown Quiescent current (Iq) (typ) (µA) 8 Soft start Fixed Rise Time Rating Space Ron (typ) (mΩ) 115 Shutdown current (ISD) (typ) (µA) 0.003 Current limit type Fixed Function Inrush current control, Short circuit protection, Thermal shutdown FET Internal Operating temperature range (°C) -55 to 125 Device type Load switch
SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • Vendor item drawing available, VID V62/22609
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latch-up (SEL), single-event burnout (SEB) and single-event gate rupture (SEGR) immune to effective linear energy transfer (LETEFF) of 43 MeV– cm2/mg.
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized to LETEFF of 43 MeV– cm2/mg.
  • Input operating voltage range (VIN): 1.6 to 5.5 V
  • Recommended continuous current (IMAX): 1.25 A
  • On-resistance (RON):
    • 116 mΩ (typ.) at VIN = 5 V
    • 115 mΩ (typ.) at VIN = 3.3 V
    • 133 mΩ (typ.) at VIN = 1.8 V
  • Output short protection (ISC): 3 A (typ.)
  • Low power consumption:
    • ON state (IQ): 8.3 µA (typ.)
    • OFF state (ISD): 3 nA (typ.)
  • Slow turn ON timing to limit inrush current (tON):
    • tON at 5 V = 1.68 ms at 3.61 mV/µs
    • tON at 3.3 V = 1.51 ms at 2.91 mV/µs
    • tON at 1.8 V = 1.32 ms at 2.15 mV/µs
  • Adjustable output discharge and fall time:
    • Internal QOD resistance = 9.2 Ω (typ.) at VIN = 3.3 V
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhance mold compound for low outgassing
  • Vendor item drawing available, VID V62/22609
  • Total ionizing dose (TID) characterized to 30 krad(Si)
    • TID RLAT (radiation lot acceptance testing) for every wafer lot to 20 krad(Si)
  • Single-event effects (SEE) characterized
    • Single-event latch-up (SEL), single-event burnout (SEB) and single-event gate rupture (SEGR) immune to effective linear energy transfer (LETEFF) of 43 MeV– cm2/mg.
    • Single-event transient (SET) and single-event functional interrupt (SEFI) characterized to LETEFF of 43 MeV– cm2/mg.
  • Input operating voltage range (VIN): 1.6 to 5.5 V
  • Recommended continuous current (IMAX): 1.25 A
  • On-resistance (RON):
    • 116 mΩ (typ.) at VIN = 5 V
    • 115 mΩ (typ.) at VIN = 3.3 V
    • 133 mΩ (typ.) at VIN = 1.8 V
  • Output short protection (ISC): 3 A (typ.)
  • Low power consumption:
    • ON state (IQ): 8.3 µA (typ.)
    • OFF state (ISD): 3 nA (typ.)
  • Slow turn ON timing to limit inrush current (tON):
    • tON at 5 V = 1.68 ms at 3.61 mV/µs
    • tON at 3.3 V = 1.51 ms at 2.91 mV/µs
    • tON at 1.8 V = 1.32 ms at 2.15 mV/µs
  • Adjustable output discharge and fall time:
    • Internal QOD resistance = 9.2 Ω (typ.) at VIN = 3.3 V
  • Space Enhanced Plastic (SEP)
    • Controlled baseline
    • Gold bondwire
    • NiPdAu lead finish
    • One assembly and test site
    • One fabrication site
    • Military (–55°C to 125°C) temperature range
    • Extended product life cycle
    • Extended product-change notification (PCN)
    • Product traceability
    • Enhance mold compound for low outgassing

The TPS7H2221-SEP device is a small, single channel load switch with controlled slew rate. The device contains an N-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.6 V to 5.5 V and can support a maximum continuous current of 1.25 A.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. When power is first applied, a Smart Pull Down is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. Once the pin is deliberately driven high (VON>VIH), the Smart Pull Down will be disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS7H2221-SEP load switch is also self-protected, meaning that it protects against short circuit events on the output of the device.

The TPS7H2221-SEP is available in a standard SC-70 package characterized for operation over an ambient temperature range of –55°C to 125°C.

The TPS7H2221-SEP device is a small, single channel load switch with controlled slew rate. The device contains an N-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.6 V to 5.5 V and can support a maximum continuous current of 1.25 A.

The switch ON state is controlled by a digital input that is capable of interfacing directly with low-voltage control signals. When power is first applied, a Smart Pull Down is used to keep the ON pin from floating until system sequencing is complete. Once the pin is deliberately driven high (VON>VIH), the Smart Pull Down will be disconnected to prevent unnecessary power loss.

The TPS7H2221-SEP load switch is also self-protected, meaning that it protects against short circuit events on the output of the device.

The TPS7H2221-SEP is available in a standard SC-70 package characterized for operation over an ambient temperature range of –55°C to 125°C.
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기술 자료

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유형 직함 날짜
* Data sheet TPS7H2221-SEP Radiation Tolerant 5.5-V, 1.25-A, 115-mΩ Load Switch datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2022/09/20
* VID TPS7H2221-SEP VID V62-22609 2022/12/22
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Total Ionizing Dose (TID) Radiation Report (Rev. A) 2022/09/28
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Production Flow and Reliability Report 2022/09/22
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Neutron Displacement (NDD) Characterization Report 2022/08/18
* Radiation & reliability report TPS7H2221-SEP Single-Event Effects (SEE) Report PDF | HTML 2022/07/12
Selection guide TI Space Products (Rev. K) 2025/04/04
Technical article 우주 항공 강화 제품이 저지구 궤도 애플리케이션의 과제를 해결하는 방법 (Rev. A) PDF | HTML 2024/01/11
Application note Reduce the Risk in Low-Earth Orbit Missions with Space Enhanced Plastic Products (Rev. A) PDF | HTML 2022/09/15
E-book Radiation Handbook for Electronics (Rev. A) 2019/05/21

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

TPS7H2221EVM — TPS7H2221 1.6V ~ 5.5V 입력, 1.25A 부하 스위치용 평가 모듈

TPS7H2221 평가 모듈(EVM)은 TPS7H2221-SEP 부하 스위치의 병렬 작동을 보여줍니다. EVM을 사용하면 병렬 회로를 두 개의 독립적인 단일 디바이스 회로로 구분할 수 있고, 사용자 지정 구성을 테스트할 수 있도록 추가 패시브 부품으로 채울 수 있는 설치 공간을 제공합니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
평가 보드

ALPHA-3P-ADM-VA601-SPACE-AMD — AMD Versal 코어 XQRVC1902 ACAP 및 TI 방사선 내성 제품을 사용하는 Alpha Data ADM-VA601 키트

AMD-Xilinx®® Versal AI Core XQRVC1902 적응형 SoC/FPGA를 강조하는 6U VPX 폼 팩터입니다. ADM-VA600은 FMC+ 커넥터 1개, DDR4 DRAM 및 시스템 모니터링 기능을 갖춘 모듈식 보드 설계입니다. 대부분의 구성 요소는 방사능 내성 전원 관리, 인터페이스, 클로킹 및 임베디드 프로세싱(-SEP) 장치입니다.

발송: Alpha Data Parallel Systems Ltd.
파트너 사이트 방문
시뮬레이션 모델

TPS7H2221-SEP PSpice Transient Model

SLVMDX7.ZIP (21 KB) - PSpice Model
다운로드
레퍼런스 디자인

TIDA-050088 — Versal AI Edge용 방사능 내성 전원 레퍼런스 설계

AMD의 Versal™ AI Edge XQRVE2302를 위한 방사능 내성 전원 아키텍처 레퍼런스 설계입니다. Versal Edge는 소형 폼 팩터에서 높은 수준의 성능을 구현하는 우주 응용 분야를 위한 채택형 SoC(시스템 온 칩)입니다. 우주 환경에서 이 설계를 완전하게 활용하려면 견고한 전원 공급이 필수적입니다. 이 전원 설계에는 레일을 올바르게 주문하고 모니터링하기 위한 시퀀서와 함께 다양한 레일에 전원을 공급하는 여러 장치가 포함되어 있습니다.
Design guide: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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