전력 관리 전력계 질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG3650R070

활성

통합 드라이버 및 보호를 지원하는 650V 70mΩ TOLL 패키지 GaN FET

제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Over Current Protection, Slew Rate Control, Wide input voltage Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 175
TO-OTHER (KLA) 9 115.632 mm² (9.9 mm × 11.68 mm)
  • 650V 70mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 100V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • LMG3656R070 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3657R070 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad
  • 650V 70mΩ GaN power FET with integrated gate driver
    • >200V/ns FET hold-off
    • Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
      • 10V/ns to 100V/ns turn-on slew rates
      • 10V/ns to full speed turn-off slew rates
    • Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
    • Withstands 720V surge
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • LMG3656R070 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
    • LMG3657R070 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
  • 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad

The LMG365xR070 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 100V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R070 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R070 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R070 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.

The LMG365xR070 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 100V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R070 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R070 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R070 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.

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기술 자료

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* 데이터 시트 LMG365xR070 650V 70 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2025. 12. 1
Product overview HVDC QFN-Packaged GaN Power Devices PDF | HTML 2026. 3. 31

설계 및 개발

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도터 카드

LMG3650EVM-115 — LMG3650R070 도터카드

LMG3650 도터카드는 필요한 모든 바이어스 회로 및 로직/전력 레벨 전환을 지원하는 하프 브리지 구성에 드라이버와 보호 기능이 통합된 두 개의 LMG3650R070 650V GaN FET를 제공합니다. 필수 전력계와 게이트 구동, 고주파 전류 루프가 보드에 완전히 밀폐되어 전원 루프 기생 인덕턴스를 최소화하여 전압 오버슈팅을 줄이고 성능을 향상시킵니다. 이 도터카드는 다양한 애플리케이션에서 LMG3650R070을 실행하기 위해 외부 전력계와 손쉽게 인터페이스할 수 있도록 소켓 스타일 외부 연결용으로 구성되어 있습니다. 이 도터 (...)

사용 설명서: PDF | HTML
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
TO-OTHER (KLA) 9 Ultra Librarian

주문 및 품질

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지원 및 교육

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