LMG3650R070
- 650V 70mΩ GaN power FET with integrated gate driver
- >200V/ns FET hold-off
- Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
- 10V/ns to 100V/ns turn-on slew rates
- 10V/ns to full speed turn-off slew rates
- Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
- Withstands 720V surge
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- LMG3656R070 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- LMG3657R070 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
- 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad
The LMG365xR070 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 100V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R070 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R070 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R070 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.
기술 자료
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG365xR070 650V 70 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2025/12/01 |
설계 및 개발
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LMG3650EVM-115 — LMG3650R070 도터카드
LMG3650 도터카드는 필요한 모든 바이어스 회로 및 로직/전력 레벨 전환을 지원하는 하프 브리지 구성에 드라이버와 보호 기능이 통합된 두 개의 LMG3650R070 650V GaN FET를 제공합니다. 필수 전력계와 게이트 구동, 고주파 전류 루프가 보드에 완전히 밀폐되어 전원 루프 기생 인덕턴스를 최소화하여 전압 오버슈팅을 줄이고 성능을 향상시킵니다. 이 도터카드는 다양한 애플리케이션에서 LMG3650R070을 실행하기 위해 외부 전력계와 손쉽게 인터페이스할 수 있도록 소켓 스타일 외부 연결용으로 구성되어 있습니다. 이 도터 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.