LMG3650R035
- 650V 35mΩ GaN power FET with integrated gate driver
- >200V/ns FET hold-off
- Adjustable slew rates for optimization of switching performance and EMI mitigation
- 10V/ns to 80V/ns turn-on slew rates
- 10V/ns to full speed turn-off slew rates
- Operates with supply pin and input logic pin voltage range from 9V to 26V
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with <300ns response
- Withstands 720V surge
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- LMG3656R035 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- LMG3657R035 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
- 9.8mm × 11.6mm TOLL package with thermal pad
The LMG365xR035 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
Adjustable gate driver strength allows the control of turn-on and maximum turn-off slew rates independently, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. Turn on slew rate varies from 10V/ns to 80V/ns, while the turn off slew rate can be limited from 10V/ns to a maximum based on the magnitude of load current. Protection features include under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle overcurrent limit, and short-circuit and overtemperature protection. The LMG3651R035 provides a 5V LDO output on LDO5V pin that powers external digital isolators. The LMG3656R035 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized. The LMG3657R035 includes the zero-current detection (ZCD) feature that sets the ZCD pin high when the drain-to-source current is negative and transitions to low upon detecting the zero-crossing point.
기술 자료
| 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG365xR035 650V 35 mΩ GaN FET With Integrated Driver and Protection datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2025/12/10 |
| Technical article | 통합 TOLL 패키지형 GaN 장치를 사용해 전원 공급 장치 설계 혁신 주도 | PDF | HTML | 2025/03/20 |
설계 및 개발
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LMG3650EVM-114 — LMG3650R035 도터카드
LMG3650R035 평가 모듈(EVM)은 하프 브리지에서 LMG3650R035 GaN FET 2개를 구성하며 과열 보호, 사이클별 과전류 보호, 래치형 단락 재설정 보호 기능 및 절연 바이어스 공급 또는 부트스트랩 공급을 테스트하는 데 필요한 모든 보조 주변 회로를 갖추고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
TIDA-010954 — 600W, GaN 기반 단상 사이클로컨버터 레퍼런스 설계
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| TO-OTHER (KLA) | 9 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.