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ULN2003B

已停产

支持 3V 输入电压且具有较低成本的 50V、7 通道达林顿阵列

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ULN2003B 不再投入量产
此产品不再投入生产。新设计应考虑替代产品。
open-in-new 比较替代产品
功能与比较器件相同，且具有相同引脚
ULN2003A 正在供货 50V 7 通道达林顿晶体管阵列 Replacement
ULN2003AI 正在供货 工作温度范围为 -40°C 至 105 °C 的 50V、7 通道达林顿晶体管阵列 Replacement

ULN2003B

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产品详情

Drivers per package 7 Switching voltage (max) (V) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 105 Output voltage (max) (V) 50 Peak output current (A) 0.5 Delay time (typ) (ns) 250 Input compatibility CMOS, TTL Vol at lowest spec current (typ) (mV) 900 Iout/ch (max) (mA) 500 Iout_off (typ) (µA) 50
Drivers per package 7 Switching voltage (max) (V) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 105 Output voltage (max) (V) 50 Peak output current (A) 0.5 Delay time (typ) (ns) 250 Input compatibility CMOS, TTL Vol at lowest spec current (typ) (mV) 900 Iout/ch (max) (mA) 500 Iout_off (typ) (µA) 50
PDIP (N) 16 181.42 mm² 19.3 x 9.4 SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6 TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4
  • 输出泄漏电流 (ICEX) 超过 ULN2003A 的四倍
  • 500mA 额定集电极电流（单路输出）
  • 高压输出 50V
  • 钳位二极管输出
  • 可兼容各类逻辑的输入
  • 继电器驱动器应用

应用

  • 继电器驱动器
  • 锤式驱动器
  • 灯驱动器
  • 显示屏驱动器（LED 和气体放电元件）
  • 线路驱动器
  • 逻辑缓冲器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 输出泄漏电流 (ICEX) 超过 ULN2003A 的四倍
  • 500mA 额定集电极电流（单路输出）
  • 高压输出 50V
  • 钳位二极管输出
  • 可兼容各类逻辑的输入
  • 继电器驱动器应用

应用

  • 继电器驱动器
  • 锤式驱动器
  • 灯驱动器
  • 显示屏驱动器（LED 和气体放电元件）
  • 线路驱动器
  • 逻辑缓冲器

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ULN2003B 是一款高电压、高电流达灵顿晶体管阵列。 这个器件包含 7 个高压输出型 NPN 达灵顿晶体管对，这些晶体管具有针对电感负载开关的共阴极钳位二极管。 单个达灵顿对的集电极电流额定值为 500mA。 将达灵顿对并联可以提供更高的电流。

ULN2003B 的每个达灵顿对具有一个 2.7kΩ 基极串联电阻器，可直接用于晶体管逻辑 (TTL) 或互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件。

ULN2003B 是一款高电压、高电流达灵顿晶体管阵列。 这个器件包含 7 个高压输出型 NPN 达灵顿晶体管对，这些晶体管具有针对电感负载开关的共阴极钳位二极管。 单个达灵顿对的集电极电流额定值为 500mA。 将达灵顿对并联可以提供更高的电流。

ULN2003B 的每个达灵顿对具有一个 2.7kΩ 基极串联电阻器，可直接用于晶体管逻辑 (TTL) 或互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件。
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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 ULN2003B 高电压、高电流达灵顿晶体管阵列 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2014年 10月 17日

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点