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UCC23511-Q1

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Automotive Reinforced, 1.5A/2A single-channel opto-compatible isolated gate driver

产品详情

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 1 Peak output current (source) (typ) (A) 1.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 2 Features Opto-compatible input Output VCC/VDD (min) (V) 14 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input threshold 4 mA, 4mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1500 Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Peak output current (A) 1 Peak output current (source) (typ) (A) 1.5 Peak output current (sink) (typ) (A) 2 Features Opto-compatible input Output VCC/VDD (min) (V) 14 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input threshold 4 mA, 4mA Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1500 Fall time (ns) 25 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (DWY) 6 53.82 mm² (4.68 mm × 11.5 mm)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 具有光兼容输入的 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级
  • 1.5A 拉电流/2A 灌电流,峰值输出电流
  • 最高 33V 输出驱动器电源电压
  • 12V VCC UVLO
  • 轨到轨输出
  • 105ns(最大值)传播延迟
  • 25ns(最大值)器件对器件延迟匹配
  • 35ns(最大值)脉宽失真度
  • 150kV/µs(最小值)共模瞬态抗扰度 (CMTI)
  • 隔离栅寿命大于 50 年
  • 输入级具有 13V 反极性电压处理能力,支持互锁
  • 扩展型 SO-6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm
  • 运行结温 TJ:–40°C 至 +150°C
  • 提供功能安全
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 增强型隔离(进展中)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 具有光兼容输入的 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
  • 适用于光隔离式栅极驱动器的引脚对引脚普适版升级
  • 1.5A 拉电流/2A 灌电流,峰值输出电流
  • 最高 33V 输出驱动器电源电压
  • 12V VCC UVLO
  • 轨到轨输出
  • 105ns(最大值)传播延迟
  • 25ns(最大值)器件对器件延迟匹配
  • 35ns(最大值)脉宽失真度
  • 150kV/µs(最小值)共模瞬态抗扰度 (CMTI)
  • 隔离栅寿命大于 50 年
  • 输入级具有 13V 反极性电压处理能力,支持互锁
  • 扩展型 SO-6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm
  • 运行结温 TJ:–40°C 至 +150°C
  • 提供功能安全
  • 安全相关认证:
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 增强型隔离(进展中)

UCC23511 -Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511 -Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (ediode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm,塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23511 -Q1 具有高性能和高可靠性,因此非常适合用于 汽车电机驱动器 ,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

UCC23511 -Q1 是一款适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容单通道隔离式栅极驱动器,具有 1.5A 峰值拉电流和 2A 峰值灌电流以及 5.7kVRMS 增强型隔离额定值。33V 的高电源电压范围允许使用双极电源来有效驱动 IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511 -Q1 可以驱动低侧和高侧功率 FET。与基于光耦合器的标准栅极驱动器相比,此器件的主要特性和特征可显著提高性能和可靠性,同时在原理图和布局设计中保持引脚对引脚兼容性。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉宽失真。严格的过程控制可实现较小的器件对器件偏移。输入级是仿真二极管 (ediode),这意味着与光耦合器栅极驱动器中传统的 LED 相比,可靠性和老化特性更为出色。该器件采用扩展型 SO6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm,塑封材料(材料组 I)的相对漏电起痕指数 (CTI) 大于 600V。UCC23511 -Q1 具有高性能和高可靠性,因此非常适合用于 汽车电机驱动器 ,例如牵引逆变器、车载充电器、直流充电站以及汽车暖通空调和加热系统。更高的工作温度为传统光耦合器以前无法支持的应用开辟了机会。

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技术文档

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* 数据表 UCC23511-Q1 1.5A 拉电流、2A 灌电流、5.7kVRMS 光兼容单通道隔离式栅极驱动器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2021-11-5
证书 UCC23513 CQC Certificate of Product Certification PDF | HTML 2023-8-16
应用简报 栅极驱动电路中铁氧体磁珠的使用和优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-11-14
功能安全信息 UCC23x1x-Q1, Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2021-2-18

设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

UCC23513EVM-014 — 具有光兼容输入的 UCC23513 3A 5kVrms 单通道隔离式栅极驱动器 EVM

UCC23513EVM-014 评估模块用于评估 TI 的 UCC23513,这是具有光兼容输入的 5kVRMS 隔离式单通道栅极驱动器。输入为电流驱动,需要 7mA 和 16 mA 之间的电流才能实现器件导通,并且可通过反向偏置来实现关断。该器件可提供 4A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流输出电流,以驱动 Si MOSFET、IGBT 和 WBG 器件(即 SiC 和 GaN 晶体管)。
用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DWY) 6 Ultra Librarian

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