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UCC21331-Q1

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具有使能逻辑和可编程死区时间的汽车级 3kVRMS 4A/6A 双通道栅极驱动器

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UCC21331-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 850 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Enable, High CMTI, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 25 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 16 59.4 mm² 9.9 x 6
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 12V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 6ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用
  • 通用：双通道低侧、双通道高侧或半桥驱动器
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
  • 结温范围：–40°C 至 +150°C
  • 高达 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 12V VDD UVLO 选项
  • 开关参数：
    • 33ns 典型传播延迟
    • 5ns 最大延迟匹配
    • 6ns 最大脉宽失真
    • 10µs 最大 VDD 上电延迟
  • 针对所有电源的 UVLO 保护
  • 电源时序快速启用

UCC21331-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21331-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性， UCC21331-Q1器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。

UCC21331-Q1 是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器系列。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、SiC 和 IGBT 晶体管。

UCC21331-Q1 可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 3kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。

保护功能包括：电阻器可编程死区时间、同时关闭两个输出的禁用功能以及可抑制短于 5ns 的输入瞬态的集成抗尖峰脉冲滤波器。所有电源都有 UVLO 保护。

凭借所有这些高级特性， UCC21331-Q1器件能够在各种各样的电源应用中实现高效率、高电源密度和稳健性。
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* 数据表 UCC21331x -Q1 汽车级 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 12月 3日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

原理图

Application Guide: Dual-Channel Schematic and Layout Design Guidelines (Rev. A)

SZZM003A.ZIP (1317 KB)
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