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TXS4555

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具有电平转换器的 SIM 卡电源

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产品详情

Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 3 Data rate (max) (Mbps) 50 Topology Open drain, Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.65 Vin (max) (V) 3.3 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 3.3 Applications SIM Card Features Single LDO Technology family TXS Supply current (max) (mA) 0.005 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
UQFN (RUT) 12 3.4 mm² 2 x 1.7 VQFN (RGT) 16 9 mm² 3 x 3
  • 电平转换器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC 范围
    • VBATT 范围为 2.3V 至 5.5V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 具有使能端的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 或 2.95V 的可选输出电压
    • 输入电压范围为 2.3V 至 5.5V
    • 50mA 时的超低压降为 100mV（最大值）
  • 包含根据 ISO7816-3 对 SIM 卡信号进行关断的功能
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体放电模型 (A114-B)
    • 500V 充电器件模型 (C101)
    • SIM 引脚的 8kV HBM
  • 封装
    • 16 引脚 VQFN (3mm × 3mm)
    • 12 引脚 UQFN (2mm × 1.7mm)
  • 电平转换器
    • 1.65V 至 3.3V 的 VCC 范围
    • VBATT 范围为 2.3V 至 5.5V
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 具有使能端的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 或 2.95V 的可选输出电压
    • 输入电压范围为 2.3V 至 5.5V
    • 50mA 时的超低压降为 100mV（最大值）
  • 包含根据 ISO7816-3 对 SIM 卡信号进行关断的功能
  • ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2000V 人体放电模型 (A114-B)
    • 500V 充电器件模型 (C101)
    • SIM 引脚的 8kV HBM
  • 封装
    • 16 引脚 VQFN (3mm × 3mm)
    • 12 引脚 UQFN (2mm × 1.7mm)

TXS4555 器件是一款智能身份模块 (SIM) 卡选件，可将无线基带处理器与 SIM 卡连接，以存储移动手持应用程序的 I/O。该器件符合 ISO/IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移动标准。该器件包括一个可支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器以及一个输出电压可在这些接口之间进行选择的低压降 (LDO) 稳压器。

该器件有两个电源电压引脚。VCC 可在 1.65V 至 3.3V 的整个电压范围内以及 2.3V 至 5.5V 的 VBATT 范围内运行。VPWR 设置为 1.8V 或 2.95V，由内部 LDO 供电。集成式 LDO 接受高达 5.5V 的输入电压，并在 50mA 时向 B 侧电路和外部 SIM 卡输出 1.8V 或 2.95V 电压。TXS4555 使系统设计人员能够将低压微处理器连接到在 1.8V 或 2.95V 电压下运行的 SIM 卡。

TXS4555 根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚提供了关断顺序。在手机意外关机时，关闭 SIM 卡有助于防止数据损坏。该器件为 SIM 引脚提供 8kV HBM 保护，为所有其他引脚提供标准 2kV HBM 保护。

TXS4555 器件是一款智能身份模块 (SIM) 卡选件，可将无线基带处理器与 SIM 卡连接，以存储移动手持应用程序的 I/O。该器件符合 ISO/IEC 智能卡接口要求以及 GSM 和 3G 移动标准。该器件包括一个可支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器以及一个输出电压可在这些接口之间进行选择的低压降 (LDO) 稳压器。

该器件有两个电源电压引脚。VCC 可在 1.65V 至 3.3V 的整个电压范围内以及 2.3V 至 5.5V 的 VBATT 范围内运行。VPWR 设置为 1.8V 或 2.95V，由内部 LDO 供电。集成式 LDO 接受高达 5.5V 的输入电压，并在 50mA 时向 B 侧电路和外部 SIM 卡输出 1.8V 或 2.95V 电压。TXS4555 使系统设计人员能够将低压微处理器连接到在 1.8V 或 2.95V 电压下运行的 SIM 卡。

TXS4555 根据 SIM 卡的 ISO 7816-3 规范为 SIM 卡引脚提供了关断顺序。在手机意外关机时，关闭 SIM 卡有助于防止数据损坏。该器件为 SIM 引脚提供 8kV HBM 保护，为所有其他引脚提供标准 2kV HBM 保护。
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设计与开发

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仿真模型

TXS4555 IBIS Model

SBOM452.ZIP (47 KB) - IBIS Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
UQFN (RUT) 12 Ultra Librarian
VQFN (RGT) 16 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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