TXS02326A

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具有自动检测和插槽专用双路 LDO 的双电源 2:1 SIM 卡多路复用器/转换器

产品详情

Technology family TXS Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXS Applications SIM Card Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
VQFN (RGE) 24 16 mm² 4 x 4
  • 电平转换器
    • VDDIO 范围介于 1.7V 至 3.3V 之间
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带有使能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 极低压降:电流为 50mA 时为 100mV(最大值)
  • 通过配有基带处理器的 I2C 接口实现控制和通信
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2500V 人体模型 (A114-B)
    • VSIM1,SIM1CLK,SIM1I/O,SIM1RST,VSIM2,SIM2CLK,SIM2I/O,SIM2RST 上的 6000V 人体模型 (A114-B)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 封装
    • 24 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (4mm x 4mm)

  • 电平转换器
    • VDDIO 范围介于 1.7V 至 3.3V 之间
  • 低压降 (LDO) 稳压器
    • 带有使能的 50mA LDO 稳压器
    • 1.8V 至 2.95V 可选输出电压
    • 2.3V 至 5.5V 输入电压范围
    • 极低压降:电流为 50mA 时为 100mV(最大值)
  • 通过配有基带处理器的 I2C 接口实现控制和通信
  • 静电放电 (ESD) 保护性能超过 JESD 22 规范要求
    • 2500V 人体模型 (A114-B)
    • VSIM1,SIM1CLK,SIM1I/O,SIM1RST,VSIM2,SIM2CLK,SIM2I/O,SIM2RST 上的 6000V 人体模型 (A114-B)
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • 封装
    • 24 引脚四方扁平无引线封装 (QFN) (4mm x 4mm)

TXS02326A 是一款完全双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,此解决方案用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡接口相连,以存储移动手机应用程序的数据。 它是一个用于将一个单一 SIM/UICC 接口拓展成为支持两个 SIM/UICC 接口的定制器件。

该器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求,而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器;两个具有可在 2.95V B 类和 1.8V C 类接口之间选择输出电压的低压降 (LDO) 稳压器;一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口;和一个用于内部定时生成的 32kHz 时钟输入。 为了对两个 SIM 卡安全断电,TXS02326A 还包括一个关断输入和一个可检测电池组取出的比较器输入。 关断输入和比较器输入装有两个由一个 8 位计数器实现的可编程防反跳计数器(即电池拆除关断保护引脚 (BSI) 输入和备用 SIM 卡热交换引脚 (SDN) 输入)电路。

电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 设定针对基带接口的基准并可在 1.7V 至 3.3V 的电压下运行。 VSIM1 和 VSIM2 的电压可被设定为 1.8V 或者 2.95V,均由一个独立内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压,并向 B 侧电路及外部 B 类或 C 类 SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

TXS02326A 是一款完全双电源待机智能身份模块 (SIM) 卡解决方案,此解决方案用于将无线基带处理器与两个单独的 SIM 用户卡接口相连,以存储移动手机应用程序的数据。 它是一个用于将一个单一 SIM/UICC 接口拓展成为支持两个 SIM/UICC 接口的定制器件。

该器件不但符合 ISO/IEC 智能卡接口要求,而且还支持 GSM 与 3G 移动标准。 它包括一个能够支持 B 类 (2.95V) 和 C 类 (1.8V) 接口的高速电平转换器;两个具有可在 2.95V B 类和 1.8V C 类接口之间选择输出电压的低压降 (LDO) 稳压器;一个用于配置的集成型 “快速模式” 400kb/s “从” I2C 控制寄存器接口;和一个用于内部定时生成的 32kHz 时钟输入。 为了对两个 SIM 卡安全断电,TXS02326A 还包括一个关断输入和一个可检测电池组取出的比较器输入。 关断输入和比较器输入装有两个由一个 8 位计数器实现的可编程防反跳计数器(即电池拆除关断保护引脚 (BSI) 输入和备用 SIM 卡热交换引脚 (SDN) 输入)电路。

电压电平转换器具有两个电源电压引脚。 VDDIO 设定针对基带接口的基准并可在 1.7V 至 3.3V 的电压下运行。 VSIM1 和 VSIM2 的电压可被设定为 1.8V 或者 2.95V,均由一个独立内部 LDO 稳压器供电。 集成型 LDO 可接受 2.3V 至 5.5V 的输入电池电压,并向 B 侧电路及外部 B 类或 C 类 SIM 卡输出高达 50mA 的电流。

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* 数据表 具有自动检测和插槽专用双通道低压降稳压器 (LDO) 的双电源 2:1 SIM 卡复用器/转换器, TXS02326A 数据表 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2013年 9月 5日
选择指南 Voltage Translation Buying Guide (Rev. A) 2021年 4月 15日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

仿真模型

TXS02326A IBIS Model

SCEM552.ZIP (144 KB) - IBIS Model
封装 引脚 下载
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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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