TPS51488

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完整的 LPDDR5 存储器电源解决方案

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  • 同步降压转换器 (VDD2)
    • 输入电压范围:4.5V 至 24V
    • 输出电压固定为 1.065V
    • D-CAP3™ 控制模式,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:8A
    • 用于高级脉冲跳跃的 Eco-mode
    • 集成 22mΩ / 8.6mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 600kHz 开关频率
    • 内部软启动:1.6ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV/UV 保护
  • 同步降压转换器 (VDD1)
    • 输入电压范围:3V 至 5.5V
    • 输出电压固定为 1.8V
    • D-CAP3 控制模式,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:1A
    • 用于高级脉冲跳跃的 Eco-mode
    • 集成 150mΩ / 120mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 580kHz 开关频率
    • 内部软启动:1ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV/UV 保护
  • 内置的 500mV、1.5A LDO (VDDQ)
    • 输出电压固定为 500mV
    • 1.5A 持续输出电流
    • 只需 10µF 陶瓷输出电容器
    • 在 S3 中支持高阻态
  • 低静态电流:150µA
  • 电源正常指示器
  • 输出放电功能
  • 上电和断电序列控制
  • 非锁存 OT 和 UVLO 保护
  • 18 引脚 3.0mm × 3.0mm HotRod™ VQFN 封装
  • 同步降压转换器 (VDD2)
    • 输入电压范围:4.5V 至 24V
    • 输出电压固定为 1.065V
    • D-CAP3™ 控制模式,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:8A
    • 用于高级脉冲跳跃的 Eco-mode
    • 集成 22mΩ / 8.6mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 600kHz 开关频率
    • 内部软启动:1.6ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV/UV 保护
  • 同步降压转换器 (VDD1)
    • 输入电压范围:3V 至 5.5V
    • 输出电压固定为 1.8V
    • D-CAP3 控制模式,用于快速瞬态响应
    • 持续输出电流:1A
    • 用于高级脉冲跳跃的 Eco-mode
    • 集成 150mΩ / 120mΩ RDS(on) 内部电源开关
    • 580kHz 开关频率
    • 内部软启动:1ms
    • 逐周期过流保护
    • 锁存输出 OV/UV 保护
  • 内置的 500mV、1.5A LDO (VDDQ)
    • 输出电压固定为 500mV
    • 1.5A 持续输出电流
    • 只需 10µF 陶瓷输出电容器
    • 在 S3 中支持高阻态
  • 低静态电流:150µA
  • 电源正常指示器
  • 输出放电功能
  • 上电和断电序列控制
  • 非锁存 OT 和 UVLO 保护
  • 18 引脚 3.0mm × 3.0mm HotRod™ VQFN 封装

TPS51488 以极低总成本和设计大小为 LPDDR5 存储器系统提供完整的电源设计。器件符合 JEDEC 标准中的 LPDDR5 加电和断电顺序要求。TPS51488 集成了两个同步降压转换器(VDD1 和 VDD2)和一个 1.5A LDO (VDDQ)。

TPS51488 采用 D-CAP3 控制模式,开关频率为 600kHz,可实现快速瞬态响应、良好的负载/线路调节,并支持陶瓷输出电容器,而无需外部补偿电路。

TPS51488 具有集成的低 Rdson 功率 MOSFET,因此具有高度可配置性和高效率。器件支持灵活功率级控制,将 VDDQ 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4/S5 状态下对 VDD1、VDD2 和 VDDQ 进行放电。全面的保护特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。器件可采用耐热增强 18 引脚 HotRod VQFN 封装,额定结温范围为 –40°C 至 125°C。

TPS51488 以极低总成本和设计大小为 LPDDR5 存储器系统提供完整的电源设计。器件符合 JEDEC 标准中的 LPDDR5 加电和断电顺序要求。TPS51488 集成了两个同步降压转换器(VDD1 和 VDD2)和一个 1.5A LDO (VDDQ)。

TPS51488 采用 D-CAP3 控制模式,开关频率为 600kHz,可实现快速瞬态响应、良好的负载/线路调节,并支持陶瓷输出电容器,而无需外部补偿电路。

TPS51488 具有集成的低 Rdson 功率 MOSFET,因此具有高度可配置性和高效率。器件支持灵活功率级控制,将 VDDQ 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4/S5 状态下对 VDD1、VDD2 和 VDDQ 进行放电。全面的保护特性包括 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。器件可采用耐热增强 18 引脚 HotRod VQFN 封装,额定结温范围为 –40°C 至 125°C。

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* 数据表 TPS51488 完整的 LPDDR5 存储器电源设计 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 2026年 5月 26日

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