封装信息
| 封装 | 引脚 X1SON (DPY) | 2 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 10,000 | LARGE T&R |
TPD1E10B09-Q1 的特性
- 符合 AEC-Q101 标准
- IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
- ±20kV 接触放电
- ±20kV 气隙放电
- ISO 10605（330pF，330Ω）ESD 保护
- ±8kV 接触放电
- ±15kV 气隙放电
- IEC 61000-4-5 浪涌保护
- 4.5A (8/20µs)
- I/O 电容 10pF（典型值）
- R DYN：0.5Ω（典型值）
- 直流击穿电压 ±9.5V（最小值）
- 超低泄漏电流 100nA（最大值）
- 13V 钳位电压（I PP = 1A 时的典型值）
- 工业温度范围：–40°C 至 +125°C
- 节省空间的 0402 外形尺寸
TPD1E10B09-Q1 的说明
TPD1E10B09-Q1 器件是一款采用小型 0402 业界通用封装的双向静电放电 (ESD) 瞬态电压抑制 (TVS) 二极管。该 TVS 保护二极管可方便在节省空间的应用中进行元件放置，并且具有低 R DYN 和高 IEC 等级。 TPD1E10B09-Q1 的额定 ESD 冲击消散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准中规定的最高级别（4 级），可以提供 ±20kV 接触放电和 ±20kV IEC 气隙保护。ESD 电压可轻松达到 5kV，并且在极端条件下，这些电压能够显著升高，从而对许多集成电路造成损坏。例如，在湿度较低的环境下，电压可超过 20kV。
低动态电阻 (0.5Ω) 和低钳位电压（1A IPP 时为 13V）可确保提供系统级瞬变事件保护，从而为暴露于 ESD 事件下的设计提供强大的保护。该器件还具有 10pF IO 电容，因此非常适用于音频线路、按钮、存储器接口或 GPIO。
该器件还具有未经过汽车认证的型号：TPD1E10B09。