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TMUX1112

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3pA 导通状态泄漏电流、5V、1:1 (SPST)、4 通道精密开关（4 个高电平有效）

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Configuration 1:1 SPST Number of channels 4 Power supply voltage - single (V) 1.2, 1.8, 2.5, 3.3, 5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 2 CON (typ) (pF) 19 ON-state leakage current (max) (µA) 0.00095 Supply current (typ) (µA) 0.009 Bandwidth (MHz) 400 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Features 1.8-V compatible control inputs, Break-before-make, Fail-safe logic Input/output continuous current (max) (mA) 30 Rating Catalog
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TSSOP (PW) 16 32 mm² 5 x 6.4 UQFN (RSV) 16 4.68 mm² 2.6 x 1.8
  • 宽电源电压范围：1.08V 至 5.5V
  • 低泄漏电流：3pA
  • 低电荷注入：-1.5pC
  • 低导通电阻：2Ω
  • -40°C 至 +125°C 工作温度
  • 1.8V 逻辑兼容
  • 失效防护逻辑
  • 轨至轨运行
  • 双向信号路径
  • 先断后合开关
  • ESD 保护 HBM：2000V
  • 宽电源电压范围：1.08V 至 5.5V
  • 低泄漏电流：3pA
  • 低电荷注入：-1.5pC
  • 低导通电阻：2Ω
  • -40°C 至 +125°C 工作温度
  • 1.8V 逻辑兼容
  • 失效防护逻辑
  • 轨至轨运行
  • 双向信号路径
  • 先断后合开关
  • ESD 保护 HBM：2000V

TMUX1111、TMUX1112 和 TMUX1113 是精密互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件，具有四个独立的可选 1:1、单极单投 (SPST) 开关。1.08V 至 5.5V 的宽电源电压工作范围 可支持 医疗设备到工业系统的大量应用。该器件可在源极 (Sx) 和漏极 (Dx) 引脚上支持从 GND 到 VDD 范围的双向模拟和数字信号。

TMUX1111 的开关可通过逻辑 0 在恰当的逻辑控制输入下打开，而要打开 TMUX1112 中的开关，则需逻辑 1。TMUX1113 的四个通道通过两个支持逻辑 0 的开关分开，而另外两个开关则支持逻辑 1。TMUX1113 具有先断后合开关，因此该器件可用于交叉点开关 应用。

TMUX111x 器件是精密开关和多路复用器器件系列中的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断泄漏电流以及较低的电荷注入，因此可用于高精度测量 应用。8nA 的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式 应用标准。

TMUX1111、TMUX1112 和 TMUX1113 是精密互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件，具有四个独立的可选 1:1、单极单投 (SPST) 开关。1.08V 至 5.5V 的宽电源电压工作范围 可支持 医疗设备到工业系统的大量应用。该器件可在源极 (Sx) 和漏极 (Dx) 引脚上支持从 GND 到 VDD 范围的双向模拟和数字信号。

TMUX1111 的开关可通过逻辑 0 在恰当的逻辑控制输入下打开，而要打开 TMUX1112 中的开关，则需逻辑 1。TMUX1113 的四个通道通过两个支持逻辑 0 的开关分开，而另外两个开关则支持逻辑 1。TMUX1113 具有先断后合开关，因此该器件可用于交叉点开关 应用。

TMUX111x 器件是精密开关和多路复用器器件系列中的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断泄漏电流以及较低的电荷注入，因此可用于高精度测量 应用。8nA 的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式 应用标准。
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EVM-LEADLESS1 板可对 TI 的常见引线式封装进行快速测试和电路板试验。该评估板具有足够的空间，可将 TI 的 DRC、DTP、DQE、RBW、RGY、RSE、RSV、RSW、RTE、RTJ、RUK、RUC、RUG、RUM、RUT 和 YZP 表面贴装封装转换为 100mil DIP 接头。
用户指南: PDF
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TMUX1112 IBIS Model (Rev. A)

SCDM226A.ZIP (34 KB) - IBIS Model
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  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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